復位是使cpu和系統(tǒng)中其他部件都處于一個確定的初始狀態(tài)，并從這個狀態(tài)開始工作。
1、復位結構
/180c51復位結構
80c51復位結構如圖1所示，此處的復位引腳只是單純地稱為rst而不是rst/vpd，因為chmos型單片機的備用電源也是由vcc引腳提供的。
無論是hmos型還是chmos型的單片機，在振蕩器正在運行的情況下，復位是靠在rst/vpd引腳加持續(xù)2個機器周期（即24個振蕩周期）的高電平來實現(xiàn)的。在rst引腳出現(xiàn)高電平后的第二個周期執(zhí)行內(nèi)部復位，以后每個周期重復一次，直至rst端變低電平。 2 復位電路及復位操作
單片機的復位有上電復位和按鈕手動復位兩種。如圖2（a）所示為上電復位電路，圖（b）所示為上電按鍵復位電路。
圖2 80c51復位電路
上電復位是利用電容充電來實現(xiàn)的，即上電瞬間rst端的電位與vcc相同，隨著充電電流的減少，rst的電位逐漸下降。圖2 (a)中的r是施密特觸發(fā)器輸入端的一
個10kΩ下拉電阻，時間常數(shù)為10×10-6×10×103=100ms。只要vcc的上升時間不超過1ms，振蕩器建立時間不超過10ms，這個時間常數(shù)足以保證完成復位操作。上電復位所需
的最短時間是振蕩周期建立時間加上2個機器周期時間，在這個時間內(nèi)rst的電平應維持高于施密特觸發(fā)器的下閾值。
上電按鍵復位2（b）所示。當按下復位按鍵時，rst端產(chǎn)生高電平，使單片機復位。 復位后，其片內(nèi)各寄存器狀態(tài)見表，片內(nèi)ram內(nèi)容不變。
表 復位后內(nèi)部寄存器狀態(tài)
寄存器
內(nèi)容
寄存器
內(nèi)容
pc
0000h
tcon
00h
acc
ooh
tl0
00h
psw
00h
th0
00h
sp
07h
tl1
00h
dptr
0000h
th1
00h
p0~p3
0ffh
scon
00h
ip
××000000b
sbuf
不定
ie
0×000000b
pcon
0×××0000b
tmod
00h
由于單片機內(nèi)部的各個功能部件均受特殊功能寄存器控制，程序運行直接受程序計數(shù)器pc指揮。表中各寄存器復位時的狀態(tài)決定了單片機內(nèi)有關功能部件的初始狀態(tài)。
另外，在復位有效期間（即高電平），80c51單片機的ale引腳和 引腳均為高電平，且內(nèi)部ram不受復位的影響。