1，?？低昪2000pro和三星pm981a這兩款固態(tài)硬盤那個性能更強2，三星nvme ssd 960 pro的接口是什么3，我該怎么給沒有散熱馬甲的40固態(tài)散熱呢4，某東買的三星ssd850pro一進(jìn)游戲就死機新配的電腦配置蠻高的散5，三星固態(tài)硬盤evo和pro的區(qū)別1，?？低昪2000pro和三星pm981a這兩款固態(tài)硬盤那個性能更強
建議后者，畢竟有售后任務(wù)占坑
2，三星nvme ssd 960 pro的接口是什么
三星nvme ssd 960 pro的接口依舊是標(biāo)準(zhǔn)的m.2接口，2280型號
3，我該怎么給沒有散熱馬甲的40固態(tài)散熱呢
固態(tài)硬盤發(fā)熱量沒有機械硬盤那么夸張，實在是覺得有必要的話，可以考慮往硬盤上貼個散熱片。你好！這硬盤據(jù)產(chǎn)品介紹說 內(nèi)部有自家的散熱控制程序 應(yīng)該沒什么問題僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。
4，某東買的三星ssd850pro一進(jìn)游戲就死機新配的電腦配置蠻高的散
如果死機和ssd有關(guān) 就是ssd已損壞 低壓的情況下看不出來 一旦大讀取就坑爹 我以前有塊硬盤就這樣 開機開網(wǎng)頁什么的都沒事 一聽歌 玩游戲 一會就死機 何況你從狗東買的 退了吧850pro很好，就是貴，evo便宜，是tlc的顆粒，壽命微短。性價比的話是850evo，要是預(yù)算充分的話是pro
5，三星固態(tài)硬盤evo和pro的區(qū)別
這個就簡單啦,雖然使用上感覺的差距不是很明顯,不過,就好像普通硬盤與服務(wù)器硬盤的對比:一個是普通產(chǎn)品,一個是高端旗艦型號!三星固態(tài)硬盤pro和evo簡單來說定位有所區(qū)別，pro定位高端旗艦型號，evo定位親民大眾型號。我從官方客服得到答案是，evo用的是閃存顆粒是samsung v-nand 3bit mlc，pro用的閃存顆粒是samsung v-nand 2bit mlc，而實際samsung v-nand 3bit mlc就是3d tlc顆粒。所以可以總結(jié)為：pro主要采用的是可靠性和性能非常出色的mlc nand顆粒，evo而采用的是性價比且可靠性也非常高的3d tlc nand顆粒。到底啥是mlc啥是tlc，大家可能有些暈，我先給大家簡單普及下。顆粒的傳統(tǒng)分類：slc、mlc、tlc簡單來說，nand閃存中存儲的數(shù)據(jù)是以電荷的方式存儲在每個nand存儲單元內(nèi)的，slc、mlc及tlc就是存儲的位數(shù)不同。slc（single-level cell）單層式存儲每個存儲單元僅能儲存1bit數(shù)據(jù)，同樣，mlc（multi-level cell）可儲存2bit數(shù)據(jù)，tlc(trinary-level)可儲存3bit數(shù)據(jù)。一個存儲單元上，一次存儲的位數(shù)越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節(jié)約閃存的成本，提高nand的生產(chǎn)量。mlc的優(yōu)勢在于，tlc需要識別8種信號，而mlc只需要識別4種信號，可以花更少時間來讀取數(shù)據(jù)。因此，3d nand出現(xiàn)之前，mlc在性能和可靠性上，是高于tlc的。但是，隨著三星的3d tlc的出現(xiàn)，tlc與mlc的性能和可靠性逐漸拉小差距。3d nand閃存：三星的殺手锏級產(chǎn)品剛介紹的nand閃存不僅有slc、mlc和tlc類型之分，為了進(jìn)一步提高容量、降低成本，nand的制程工藝也在不斷進(jìn)步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。雖然先進(jìn)工藝雖然帶來了更大的容量，但是nand閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進(jìn)，nand的硅基越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致于達(dá)到某個點之后制程工藝已經(jīng)無法帶來優(yōu)勢了。相比之下，3d nand解決問題的思路就不一樣了，想要提高nand的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了，轉(zhuǎn)而堆疊更多的層數(shù)就可以了，這樣一來3d nand閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了。由于已經(jīng)向垂直方向擴展nand密度，那就沒有繼續(xù)縮小晶體管的壓力了，所以三星可以使用相對更舊的工藝來生產(chǎn)3d nand閃存，做成3d v-nand mlc或者3d v-nand tlc?，F(xiàn)在三星已經(jīng)就這樣做了，pro是3d mlc，evo是3d tlc。使用舊工藝的好處就是p/e擦寫次數(shù)大幅提升，而且電荷干擾的情況也因為使用舊工藝而大幅減少。三星閃存顆粒過去房子基本都是一層平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房間，就需要壓縮每個房間的空間。隨著租客越來越多，房間空間越來越小了，只能放一張床了，再繼續(xù)壓縮的話，人都住不了。怎么辦？聰明的建筑師想到了可以在房子上再蓋房子，拓展垂直空間?，F(xiàn)在好了，有人可以搬到樓上去，大家再也不用擠在那么小的房間。3d nand閃存思想就是這樣的，不是一味的在一個平面提升閃存密度，而是堆積多個平面，達(dá)到提升閃存容量的目的。將平房增加樓層蓋成高樓，單位面積內(nèi)可容納的人就會更多，這點是同理的。由此我們也可以得出結(jié)論3d mlc>3d tlc>2d mlc>2d tlc，現(xiàn)在不管購買三星pro還是evo都不用過分考慮ssd閃存壽命問題，可能電腦主機完全淘汰了ssd還健在，而從正常使用考慮三星evo采用3d tlc技術(shù)也足以應(yīng)對日常數(shù)據(jù)處理，追求更高性能的用戶則可以考慮三星pro系列產(chǎn)品，性能更為出色！以三星固態(tài)硬盤840 evo和840 pro區(qū)別為例，如下：
兩款固態(tài)硬盤的nand flash閃存芯片不同，840 evo采用的閃存芯片為tlc，840 pro采用的閃存芯片為mlc，后者無論從讀寫速度與使用壽命上都強于840 evo。