西門子6se70變頻器面板顯示e檢修疑難問(wèn)題；上海恒稅電氣在電子領(lǐng)域有著深厚經(jīng)驗(yàn)積累，擁有高科技先進(jìn)的測(cè)試維修設(shè)備，能夠維修西門子各種先進(jìn)的工業(yè)設(shè)備電路板，變頻器，觸摸屏，plc，伺服驅(qū)動(dòng)器，印刷機(jī)控制板，步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器，伺服電機(jī)，步進(jìn)電機(jī)等。不分行業(yè)和設(shè)備種類，無(wú)原理圖維修。如：半導(dǎo)體，機(jī)械，注塑，印刷，電梯，服裝，食品，化工等行業(yè)，希望能得到貴公司的認(rèn)可從而達(dá)到長(zhǎng)期合作！
西門子6se70變頻器面板顯示e檢修疑難問(wèn)題，故障分析；1、變頻器用的gtr一般都是（復(fù)合管）模塊，其內(nèi)部有三個(gè)極分別是集電極c、發(fā)射極e和基極b。根據(jù)變頻器的工作特點(diǎn)，在晶體管旁還并聯(lián)了一個(gè)反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點(diǎn)，常做成雙管模塊，甚至可以做成6管模塊。
2、工作時(shí)狀態(tài) 和普通晶體管一樣，gtr也是一種放大器件，具有三種基本的工作狀態(tài)：
⑴放大狀態(tài) 起基本工作特點(diǎn)是集電極電流ic的大小隨基極電流ib而變 ic=βib 式中β------gtr的電流放大倍數(shù)。
gtr處于放大狀態(tài)時(shí)，其耗散功率pc較大。設(shè)uc=200v，rc=10ω，β=50，ib=200ma（0.2a） 計(jì)算如下：ic= βib=50*0.2a=10a uce=uc-icrc=(200-10*10)v=100v pc=uceic=100*10w=1000w=1kw ⑵飽和狀態(tài) ib增大時(shí)，ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當(dāng) βib>uc/rc 時(shí)，ic=βib的關(guān)系便不能再維持了，這時(shí)，gtr開始進(jìn)入“飽和狀態(tài)。而當(dāng) ic的大小幾乎*由歐姆定律決定，即 ics≈uc/rc 時(shí)，gtr便處于深度飽和狀態(tài)（ics 為飽和電流）。這時(shí)，gtr的飽和壓降uces約 為1-5v。
gtr處于飽和狀態(tài)時(shí)的功耗是很小的。上例中，設(shè)uces=2v，則 ics=uc/rc=200/10a=20a pc=ucesics=2*20w=40w
可見(jiàn)，與放大狀態(tài)相比，相差甚遠(yuǎn)。
⑶截止?fàn)顟B(tài) 即關(guān)斷狀態(tài)。這是基極電流ib≤0的結(jié)果。
在截止?fàn)顟B(tài)，gtr只有很微弱的漏電流流過(guò)，因此，其功耗是微不足道的。
gtr在逆變電路中是用來(lái)作為開關(guān)器件的，工作過(guò)程中，總是在飽和狀態(tài)間進(jìn)行交替。所以，逆變用的gtr的額定功耗通常是很小的。而如上述，如果gtr處于放大狀態(tài)，其功耗將增大達(dá)百倍以上。所以，逆變電路中的gtr是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。
3.主要參數(shù)
⑴在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)
①擊穿電壓uceo和ucex：能使集電極c和發(fā)射極e之間擊穿的小電壓。基極b開路是用 uceo表示，b、e間接入反向偏壓時(shí)用ucex 表示。在大多數(shù)情況下，這兩個(gè)數(shù)據(jù)是相等的。
②漏電流iceo 和 icex：截止?fàn)顟B(tài)下，從c極流向e極的電流。b極開路時(shí)為 iceo，b、e間反偏時(shí)為 icex。
⑵在飽和狀態(tài)時(shí)
① 集電極大電流icm：gtr飽和導(dǎo)通是的大允許電流。
② 飽和壓降uces：當(dāng)gtr飽和導(dǎo)通時(shí)，c、e間的電壓降。
⑶在開關(guān)過(guò)程中
① 開通時(shí)間ton：從b極通入正向信號(hào)電流時(shí)起，到集電極電流上升到0.9 ics 所需要的時(shí)間。
② 關(guān)斷時(shí)間toff：從基極電流撤消時(shí)起，至ic下降至0.1 ics 所需的時(shí)間
開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到spwm調(diào)制是的載波頻率。通常，使用gtr做逆變管時(shí)的載波頻率底于2khz。
4.變頻器用gtr的選用
⑴uceo 通常按電源線電壓u峰值的2倍來(lái)選擇。
uceo≥2廠2u 在電源電壓為380v的變頻器中，應(yīng)有 uceo≥2廠2u*380v=1074.8v，故選用 uceo=1200v的gtr是適宜的。
⑵icm 按額定電流in峰值的2倍來(lái)選擇 icm≥2廠2 in gtr是用電流信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，所需驅(qū)動(dòng)功率較大，故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。 我告訴大家的是mosfet以及igbt
1、 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（power mosfet） 它的3個(gè)極分別是源極s、漏極d和柵極g
其工作特點(diǎn)是，g、s間的控制信號(hào)是電壓信號(hào)ugs。改變ugs的大小，主電路的漏極電流id也跟著改變。由于g、s間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和gtr相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡(jiǎn)單，工作頻率也比較高。此外，mosfet還具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大 等優(yōu)點(diǎn)。
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