1，固態(tài)硬盤mlc和slc有什么區(qū)別哪種好用2，ssd固態(tài)硬盤slc和mlc有什么差別嗎3，目前有哪些nvme協(xié)議的mlc顆粒固態(tài)硬盤4，ssd中satam2pcie和nvme各有什么意義5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么1，固態(tài)硬盤mlc和slc有什么區(qū)別哪種好用
1、讀寫效能區(qū)別 相比slc閃存，mlc的讀寫效能要差，slc閃存約可以反復(fù)讀寫10萬次左右，而mlc則大約只能讀寫1萬次左右，甚至有部分產(chǎn)品只能達到5000次左右。 2、讀寫速度區(qū)別 在相同條件下，mlc的讀寫速度要比slc芯片慢，目前mlc芯片速度大約只有2m左右。 3、能耗區(qū)別 在相同使用條件下，mlc能耗比slc高，要多15％左右的電流消耗。 4、成本區(qū)別 mlc內(nèi)存顆粒容量大，可大幅節(jié)省制造商端的成本。slc容量小，成本高。 從性能上講slc好，單從性價比講mlc高
2，ssd固態(tài)硬盤slc和mlc有什么差別嗎
mlc與slc的區(qū)別
目前ssd硬盤使用兩種形式的nand閃存：單級單元（slc）和多級單元（mlc）。兩者之間的差額是每單元存儲的數(shù)據(jù)量，slc每單元存儲 1bit 而mlc每單元存儲 2 bit。關(guān)鍵在于，slc和mlc占據(jù)了相同大小的芯片面積。因此，在同樣的價格下，mlc可以有兩倍容量的效果。
slc只有兩個狀態(tài)（0或1）。而mlc卻有四個（00，01，10 ，11），因此需要花費較長的時間來訪問。所以mlc的速寫速度比slc要慢，但在相同大小下mlc可達到的容量理論上高出一倍，價格上mlc也是slc的一半左右。
作為網(wǎng)吧服務(wù)器的話可以用兩塊威剛 sx900 固態(tài)硬盤搭配intel z77或x79主板，并使用主板支持的raid 0+1功能組成陣列，既能滿足速度要求，又能保證穩(wěn)定性，比slc固態(tài)硬盤成本低性能好。
3，目前有哪些nvme協(xié)議的mlc顆粒固態(tài)硬盤
零售的好像只有三喪的970pro是mlc，價格是tlc的一倍的樣子，然后就是企業(yè)級的里面有u2的，不過價格更高。然后就是sm9xx系列了，sm開頭的對應(yīng)零售版pro。pm開頭的是對應(yīng)evo的。因為tlc顆粒成本較低，許多主流固態(tài)硬盤都生產(chǎn)tlc的固態(tài)硬盤。而比起mlc的固態(tài)，tlc價格上也有一定優(yōu)勢。我查了一下，tlc顆粒理論壽命為1000pe，用戶擔心tlc壽命短，很多人不敢買，甚至認為在讀寫次數(shù)上mlc更“長壽”。更有人黑tlc是一用就壞什么的，其實這些都是誤解為了終結(jié)這個留言。中關(guān)村進行了一項長達3個月的試驗，測試的就是tlc的耐久度。到第四階段為止已經(jīng)寫入200tb數(shù)據(jù)，牛逼吧→_→在測試中所使用的所有ssd沒有出現(xiàn)任何質(zhì)量問題。因為我不是做廣告只是引用，所有就不給出傳送門了。就給出文章名字吧《tlc ssd耐久第四階段200tb寫入報告出爐》由此可見，tlc在寫入次數(shù)上實際上并不低。我們一般的用戶根本無需考慮tlc顆粒固態(tài)硬盤壽命問題，可以放心使用有一個，就是wd/西部數(shù)據(jù) wd black nvme固態(tài)硬盤的順序讀寫速度分別高達3400mb每秒和2800mb每秒，可滿足游戲、視頻編輯、虛擬現(xiàn)實等需求。wd black nvme固態(tài)硬盤適合堅強、冷酷、無畏的玩家，它集熾熱疾速與卓越性能于一身，因此制勝關(guān)鍵取決于內(nèi)部的巨大力量。
4，ssd中satam2pcie和nvme各有什么意義
sata是為了機械硬盤創(chuàng)造的接口；m2是一種能兼容sata模式和nvme模式的硬盤接口；pcie是直接連cpu的接口可以插顯卡、聲卡、網(wǎng)卡等各種擴展卡；nvme是一種用于存儲設(shè)備的接口規(guī)范，準確的說是存儲設(shè)備通信協(xié)議，這個協(xié)議就好比sas和sata一樣，用于定義硬件接口和傳輸協(xié)議。擴展資料ssd基本工作原理ssd 主要由 ssd 控制器，flash 存儲陣列，板上dram（可選），以及跟host接口（諸如sata，sas，pcie等）組成。ssd主控通過若干個通道（channel）并行操作多塊flash顆粒，類似raid0，大大提高底層的帶寬。舉個例子，假設(shè)主控與flash顆粒之間有8個通道，每個通道上掛載了一個閃存顆粒，host與flash之間數(shù)據(jù)傳輸速率為200mb/s。該閃存顆粒page大小為8kb，flash page的讀取時間為tr=50us，平均寫入時間為tp=800us，8kb數(shù)據(jù)傳輸時間為tx=40us。那么底層讀取最大帶寬為（8kb/(50us+40us)）*8 = 711mb/s，寫入最大帶寬為 (8kb/(800us+40us))*8 = 76mb/s。從上可以看出，要提高底層帶寬，可以增加底層并行的顆粒數(shù)目，也可以選擇速度快的flash顆粒（或者讓速度慢的顆粒變快，比如mlc配成slc使用）。區(qū)別就是傳輸方式，sata和sata通道的m.2接口與cpu的數(shù)據(jù)傳輸方式都是通過南橋轉(zhuǎn)接至cpu，nvme協(xié)議的ssd走的是pci-e通道，就是跟cpu直連，速度更快，m.2的ssd包括nvme和sata兩種，買的時候要加以區(qū)分sata和m.2指的是接口類型，sata也同樣代表了數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議是通過南橋轉(zhuǎn)接至cpu的，最大6gb/s的帶寬，也就是說速度最快也才550mb/s左右，m.2接口的ssd模樣是一樣的但傳輸方式有兩種，一種是走sata協(xié)議，一種是nvme協(xié)議，sata協(xié)議的就跟sata的差不多，只不過這種ssd比sata的小，速度沒區(qū)別，如果是nvme協(xié)議的那就直接走pci-e總線通道，也就是說ssd直連cpu，數(shù)據(jù)帶寬是30gb，根據(jù)ssd的質(zhì)量，速度從1000mb/s到2000多mb/s都有，還有特殊的一種臺式機ssd，是pci-e接口的，有的是用nvme的ssd轉(zhuǎn)接的，也能拆下來插到m.2接口上去，速度跟nvme的一樣，還有很少一部分是原生的為pci-e設(shè)計的，性能更高，價格更貴sata，這是一大類，可以說是接口，常見的有sata和msata，也可以說是協(xié)議，sata 6gbps（sata 3.0），sata 3gpbs（sata 2.0）這就是協(xié)議標準；m2，這是接口，因為m2接口的協(xié)議，可以是sata，可以是ahci，可以是nvme；pcie，也是一大類，可以說是接口，目前的主板上面，顯卡就是pcie接口，很多外設(shè)也可以用pcie x1的接口；也可以說是協(xié)議，分類也很多，目前主流是pcie 3.0，x1帶寬8gbps，主板pch的版本還有2.0的，x1帶寬是5gbps；nvme(non-volatile memory express)，實際上屬于pcie的一種，特性更多一些，接口也很多，m.2,u.2,還可以是pcie接口，百度百科的那個是錯誤的，nvme不只是m2接口，企業(yè)級的nvme固態(tài)基本都是u.2和pcie x4或者x8接口的，m.2的企業(yè)級比較少見，因為m2的散熱有問題，企業(yè)級的是無法容忍性能因為散熱下降的，u.2的pcie比較有名的是intel的750。sata是硬盤接口，最為普及m2也是固態(tài)硬盤的一種接口，走pcie協(xié)議pci-e全稱是pci express，是新一代的總線接口nvme當中，全稱non-volatile memory express，非易失性存儲器標準，是專門針對pci-e ssd的
5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么
構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，slc、mlc和tlc三者都是閃存的類型。1、slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。2、mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000—10000次擦寫壽命。3、tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因為讀取對芯片的壽命影響不大。構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，有不少人認為單純看主控就可以知道ssd的性能，其實這是錯誤的，就像某些廠商的產(chǎn)品線那樣，用的都是sandforce sf-2281主控，但是通過不同的閃存與固件搭配劃分出很多不同層次的產(chǎn)品，相互之間性能差異比較大，可見ssd所用的固件與閃存種類都是對其性能有相當大影響的。tlc是閃存一種類型，全稱為triple-level cell tlc芯片技術(shù)是mlc和tlc技術(shù)的延伸。最早期nand flash技術(shù)架構(gòu)是slc(single-level cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到mlc(multi-level cell)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進為1個存儲器儲存單元存放2位元。slc、mlc、tlc閃存芯片的區(qū)別：slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。目前，安德旺科技生產(chǎn)的指紋u盤產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星mlc中的原裝a級芯片。