1，硬盤和內(nèi)存的區(qū)別2，求教 固態(tài)硬盤和內(nèi)存條的區(qū)別3，筆記本加內(nèi)存好 還是加固態(tài)硬盤 有什么區(qū)別4，電腦里的硬盤和內(nèi)存有什么區(qū)別5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少1，硬盤和內(nèi)存的區(qū)別
內(nèi)存速度快，是和cpu直接交換數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，主要用來保存cpu工作中產(chǎn)生的臨時(shí)數(shù)據(jù)。個(gè)人電腦用的內(nèi)存通常不能永久性保存數(shù)據(jù)。硬盤速度慢，即使是固態(tài)硬盤，其讀寫速度也比內(nèi)存慢很多。硬盤一般不存儲(chǔ)cpu工作產(chǎn)生的臨時(shí)數(shù)據(jù)，寫入硬盤的數(shù)據(jù)能長(zhǎng)期保存。
2，求教 固態(tài)硬盤和內(nèi)存條的區(qū)別
固態(tài)硬盤屬于硬盤，是用來存儲(chǔ)東西的。而內(nèi)存條是用來交換數(shù)據(jù)的。完全兩個(gè)性質(zhì)。當(dāng)你運(yùn)行程序時(shí)，這個(gè)程序就放在了硬盤上，運(yùn)行時(shí)是經(jīng)過內(nèi)存數(shù)據(jù)交換才打開的。明白了吧。望采納。內(nèi)存條，是ram，是隨機(jī)存儲(chǔ)器，速度極快，但關(guān)機(jī)后數(shù)據(jù)全部丟失。 固態(tài)硬盤，材質(zhì)是使用了flashrom，速度沒內(nèi)存快，但關(guān)機(jī)后數(shù)據(jù)不丟失。是速度和存儲(chǔ)功能介于內(nèi)存與硬盤之間的東西。 互相不能代替。
3，筆記本加內(nèi)存好 還是加固態(tài)硬盤 有什么區(qū)別
這個(gè)要根據(jù)你的實(shí)際使用，如果你在使用電腦中，內(nèi)存占用率經(jīng)常超過70%建議加一根內(nèi)存來提升運(yùn)行速度，如果內(nèi)存很富裕，你是希望提升寫入文件或打游戲讀條的速度，這個(gè)就要加固態(tài)硬盤了。假如內(nèi)存有4g的情況下，還是換固態(tài)更好為什么：因?yàn)橐话愕挠脩?，硬盤都至少用2-3年了，反映都很慢了。固態(tài)可以讓啟動(dòng)的速度加快：也就是加載的速度變快，內(nèi)存嗎，說實(shí)在的，2g 提升至4g，硬盤不給力的情況下，等于沒什么區(qū)別。謝謝
4，電腦里的硬盤和內(nèi)存有什么區(qū)別
這是一個(gè)關(guān)于計(jì)算機(jī)硬件比較基本的一個(gè)問題：內(nèi)存（rom)被稱為隨機(jī)讀取存儲(chǔ)器，是相對(duì)于硬盤這種外部存儲(chǔ)器來說的，是動(dòng)態(tài)的，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不是固定的，是隨系統(tǒng)的需要而隨時(shí)更換和調(diào)取相關(guān)數(shù)據(jù)的。一斷電那就什么都沒有了。所在在你編寫文檔時(shí)，一定要存盤。如果你沒有存盤而這個(gè)時(shí)候突然計(jì)算機(jī)斷電 ，那你的修改就白費(fèi)了。對(duì)于硬盤來說，他的數(shù)據(jù)就是永久性的寫入的。除非你修改它，否則數(shù)據(jù)是不變的，即使斷電也沒問題。硬盤是長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)用的，內(nèi)存只是短期保存電腦cpu運(yùn)算數(shù)據(jù)，也就是緩存，關(guān)機(jī)以后那些數(shù)據(jù)就沒有了，內(nèi)存越大，電腦運(yùn)算空間越大，運(yùn)算速度相對(duì)來說就會(huì)比較快……呵呵不給哦你說的那么復(fù)雜打開機(jī)箱蓋在主板上插的就是內(nèi)存！硬盤的東西是裝進(jìn)去固定的，而內(nèi)存只是一個(gè)緩沖的存儲(chǔ)器。
5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少
內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同，固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)芯片是非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)（nvram），也就是沒有電源后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。nand型閃存為例，它的隨機(jī)存取速度慢，而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對(duì)區(qū)塊進(jìn)行擦除，使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4，這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴(yán)重。此外，nand的壽命也難以令人滿意，一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫，而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡(jiǎn)稱ddr，由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl，而是支持2.5v的sstl2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系，制造成本比sdram略高一些，但仍要遠(yuǎn)小于rambus的價(jià)格，因?yàn)橹圃炱胀╯dram的設(shè)備只需稍作改進(jìn)就能進(jìn)行ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲(chǔ)速率的差別。ps：在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章，上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏，望大家海涵。我的內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s，寫入速度在13000左右，現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s，寫入速度更低點(diǎn)，也就200多吧。 只能用天差地別來形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測(cè)試軟件測(cè)，你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內(nèi)存條做的，其實(shí)速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別，傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問題的就是帶寬上有瓶頸， 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應(yīng)該就是沒有個(gè) 瓶頸所以有優(yōu)勢(shì)，但是現(xiàn)在內(nèi)存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存， 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤，容量又小又貴d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -基本差不多d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -