icinsights總裁billmcclean表示：“在我關(guān)注半導體行業(yè)的37年里，從沒見過今年如此猛烈的半導體資本支出增長勢頭。今年三星在半導體行業(yè)的巨額開支是的。”預計三星今年的資本支出將達到260億美元，超過英特爾和臺積電的總和。
2017年三星半導體資本支出將達260億美元
icinsights已經(jīng)修改了半導體行業(yè)的資本支出預估，本月底將會發(fā)布新的報告。icinsights新的預測顯示，今年半導體行業(yè)資本支出增長35%，達到908億美元。去年，三星在半導體行業(yè)的資本支出為113億美元，預計2017年該業(yè)務支出將翻一番達到260億美元。icinsights總裁billmcclean表示：“在我關(guān)注半導體行業(yè)的37年里，從沒見過今年如此猛烈的半導體資本支出增長勢頭。今年三星在半導體行業(yè)的巨額開支是的。”自2010年以來三星半導體業(yè)務的資本投入情況，這一年也是該公司次在半導體資本支出上超過100億美元。在2016年投入113億美元之后，預計今年的資本支出激增比例讓人驚訝。三星的開支計劃到底有多么兇猛？icinsights預計，三星2017年第四季度的半導體資本支出為86億美元，將占到整個半導體行業(yè)的33%(整個*四季度支出預計達到262億美元)。同時，三星在第四季度的半導體銷售額占整個行業(yè)的16%左右。icinsight預估的三星今年260億美元半導體資本支出分為以下幾個部分：3dnandflash：140億美元(包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長)dram：70億美元(為了彌補因遷移而造成的產(chǎn)能損失)代工/其他：50億美元(用于提升10納米制程能力)icinsights認為，今年三星的巨額支出將對未來產(chǎn)生很大影響，3dnand閃存市場可能會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩情況，這種產(chǎn)能過剩一方面是因為三星在3dnand閃存市場的巨額投資，另一方面如sk海力士、美光、東芝、英特爾等公司對這一細分市場的投資激增導致。從某種程度上來說，三星的競爭對手必須提高產(chǎn)能否則將失去部分市場份額。三星的投資熱預計也成為中國3dnand閃存或dram相關(guān)企業(yè)的噩夢，此前icinsights一直對中國初創(chuàng)企業(yè)對抗諸如三星、sk海力士、美光的3dnand和dram技術(shù)持懷疑態(tài)度。如今三星在資本支出上的*成了自己市場地位的保證，如果中國企業(yè)不能和現(xiàn)有的大型存儲進行合作，那么未來很難有更強的競爭力。(原標題：三星半導體資本支出超過英特爾和臺積電的總和達到260億美元)