深圳某電子公司采用hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-j對(duì)陶瓷板的pt、au、cr薄膜刻蝕,印制電路板生產(chǎn)為主
hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-j技術(shù)參數(shù)
φ4 inch x 12片
基片尺寸
φ4 inch x 12片
φ5 inch x 10片
φ6 inch x 8片
均勻性
±5%
硅片刻蝕率
20 nm/min
樣品臺(tái)
直接冷卻,水冷
離子源
φ20cm考夫曼離子源
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hakuto離子刻蝕機(jī)20ibe-j的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的kri考夫曼公司的射頻離子源rficp220
伯東kri射頻離子源rficp 220技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào)
rficp 220
discharge
rficp射頻
離子束流
>800 ma
離子動(dòng)能
100-1200 v
柵極直徑
20 cm φ
離子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型壓力
< 0.5m torr
中和器
lfn 2000
推薦hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-j理由:
1.客戶要求規(guī)模化生產(chǎn), hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-j適合大規(guī)模量產(chǎn)使用
2.刻蝕均勻性±5%,滿足客戶要求
3.工作臺(tái)冷卻方式:直接水冷
4.樣品裝載數(shù): 18片/批（2″）或4片/批（4″）
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論,請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東:羅先生