適用范圍：
木標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片和拋光片(簡(jiǎn)稱(chēng)硅片)的杭彎強(qiáng)度測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶向?yàn)楹偷闹崩?、懸浮區(qū)熔硅單晶片的常溫下抗彎強(qiáng)度的測(cè)量。硅片厚度為250-900um
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：
gb12964硅單晶拋光片
gb 12965硅單晶切割片和研磨片
常用術(shù)語(yǔ)：
抗彎強(qiáng)度
試樣破碎時(shí)的彎曲應(yīng)力，對(duì)脆性材料通常是凸表面徑向張應(yīng)力，表征抗破碎的性能。
小撓度--圓片受到中心載荷彎曲時(shí)，圓片中心面彎曲前后的位移與圓片厚度比為小量。
方法原理：
制樣方法
1、硅片抗彎強(qiáng)度與硅片內(nèi)在質(zhì)量和表面損傷狀況有關(guān)，一般力學(xué)參數(shù)都有一定的分散度，因此每組試樣作研究時(shí)需10片左右，抽檢時(shí)可按有關(guān)抽樣標(biāo)準(zhǔn)或供需雙方商定。
2、試樣表面應(yīng)符合gb12964或gb12965要求。
3、將試樣用石臘:松香=2:1配成的粘合劑粘在玻璃板上，用直徑40mrn的割圓套頭在臺(tái)鉆上割成直徑40mrn的圓片。割圓位置規(guī)定如下:直徑小于80mm的硅片在同心圓位置;直徑80rnm以上長(zhǎng)硅片在偏離主參考面45。位置割個(gè)圓。
4、試樣用適當(dāng)溶劑去臘，用洗滌劑清洗潔凈，去離子水沖洗，烘干后放入干燥器中備用。