當(dāng)前，隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷微縮，*的集成電路器件已從平面向三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，集成電路制造工藝正變得越來越復(fù)雜，往往需要經(jīng)過幾百甚至上千道的工藝步驟。對于*的半導(dǎo)體器件制造，每經(jīng)過一道工藝，硅片表面都會或多或少的存在顆粒污染物、金屬殘留或有機物殘留等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜性，使得半導(dǎo)體器件對顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數(shù)量越來越敏感。對硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技術(shù)提出了更高的要求，其關(guān)鍵點在于克服污染微顆粒與基材之間極大的吸附力，傳統(tǒng)的化學(xué)清洗、機械清洗、超聲清洗方法均無法滿足需求，而激光清洗可以很容易解決此類污染問題。
另外，隨著集成電路器件尺寸持續(xù)縮小，清洗工藝過程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關(guān)注的問題，將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷是最基本的要求，激光清洗技術(shù)具有非接觸性、無熱效應(yīng)，不會對被清洗物體產(chǎn)生表面損壞，且不會產(chǎn)生二次污染等傳統(tǒng)清洗方法所的優(yōu)勢，是解決半導(dǎo)體器件污染的清洗方法。