我們都知道，芯片本來是由晶圓刻畫形成不同電路，隨著芯片的小型化和多功能集成化發(fā)展，單個(gè)芯片承載著諸多復(fù)雜的功能，很多外圍電路和器件都集成了單個(gè)芯片里面。
相對(duì)于常規(guī)的在pcb板上貼裝的場(chǎng)景，芯片內(nèi)空間小，溫度高，穩(wěn)定性要求高，這對(duì)內(nèi)部的元器件要求也更高。
針對(duì)芯片封裝內(nèi)的特殊要求，市場(chǎng)也誕生了不少越來越多的電容產(chǎn)品。
超微型是芯片內(nèi)封裝陶瓷電容器的主要特點(diǎn)，它們的超小體積、超薄高度的特點(diǎn)，非常適合芯片內(nèi)空間小的場(chǎng)景。相對(duì)于消費(fèi)類電子產(chǎn)品大量用的陶瓷電容器，芯片內(nèi)的小型化程度要提前1-2代，比如目前市場(chǎng)上用量最大的是0201尺寸的陶瓷電容器，旗艦智能手機(jī)、高精模組及智能穿戴產(chǎn)品開始帶動(dòng)01005尺寸陶瓷電容器使用，但在芯片內(nèi)，主流的已經(jīng)是01005，先進(jìn)的產(chǎn)品里面已經(jīng)大量使用008004尺寸的陶瓷電容器。
高耐溫陶瓷電容器主要是針對(duì)100nf及以上的這類c0g和x7r材料在小尺寸中很難達(dá)到的容量，將其溫度從x5r的85℃提升到105℃或者125℃），以提升其在高溫環(huán)境中工作的穩(wěn)定性和可靠性。
射頻芯片是重要的一類芯片，對(duì)配套元器件的射頻性能要求非常高。
射頻陶瓷電容器通過元件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)改良、微波陶瓷介質(zhì)材料，以及低損耗特性的銅電極材料，實(shí)現(xiàn)低 esr，強(qiáng)抗干擾，高srf等特性的陶瓷電容器，對(duì)于射頻信號(hào)處理的處理效果非常理想。目前陶瓷電容器已經(jīng)覆蓋008004尺寸到0402尺寸各個(gè)容值的高頻需求，同時(shí)針對(duì)基站等產(chǎn)品，增加了0603和0805等大尺寸射頻電容。
倒置式陶瓷電容器即將陶瓷電容器的長(zhǎng)寬倒置，縮短內(nèi)電極，增加電極的層數(shù)，從而縮短高頻電流路徑，降低esl，降低電路失真，維護(hù)射頻信號(hào)的保真度。
未來相信市場(chǎng)也會(huì)推出更加高端的陶瓷電容產(chǎn)品，以滿足更尖端的產(chǎn)品技術(shù)需求。