晶閘管燒壞的原因有哪些？
答：電壓引起晶閘管燒壞現(xiàn)象
一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒壞的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說(shuō)的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問(wèn)題，線路中產(chǎn)生了過(guò)電壓，且對(duì)晶閘管所采取的保護(hù)措施失效。
電流引起晶閘管燒壞現(xiàn)象
電流燒壞晶閘管通常是陰極表面有較大的燒壞痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。
di/dt引起晶閘管燒壞現(xiàn)象
由di/dt所引起的燒壞晶閘管的現(xiàn)象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。我們知道晶閘管的等效電路是由兩只可控硅構(gòu)成，門極所對(duì)應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用，目的是當(dāng)觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)將其放大，然后盡快的將主可控硅導(dǎo)通，然而在短時(shí)間內(nèi)如果電流過(guò)大，主可控硅還沒有完全導(dǎo)通，大的電流主要通過(guò)相當(dāng)于門極的可控硅流過(guò)，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。