1，閃迪ssd哪些是mlc哪些是tlc2，有沒有mlc的固態(tài)硬盤推薦3，我想買mlc的固態(tài)硬盤買什么好4，目前有哪些nvme協(xié)議的mlc顆粒固態(tài)硬盤5，現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些1，閃迪ssd哪些是mlc哪些是tlc
閃迪比較好的就是至尊高速。1代是mlc，2代是tlc。 至尊極速是sf主控，就不要考慮了，還不如金士頓v300。閃迪ssd只有至尊超極速系列是mlc顆粒，至尊高速和加強(qiáng)版都是tlc顆粒
2，有沒有mlc的固態(tài)硬盤推薦
不必糾結(jié)于mlc還是tlc。合格的tlc，在普通家庭中，用10年－20年毫無問題。mlc可以考慮浦科特m6s系列。性價比好的考慮閃迪的加強(qiáng)版。mlc閃存固態(tài)硬盤現(xiàn)在選擇面不大了，多數(shù)型號已經(jīng)變成了tlc閃存。如果想買mlc的話可以選東芝q200ex 240g，這個是東芝原廠mlc閃存的，性價比很高。mlc本來就不是定位在性價比的。性價比應(yīng)該考慮好一些的tlc。像三星的850evo，浦科特的m7v。但閃迪的加強(qiáng)版不錯，mlc的，性價比很好。
3，我想買mlc的固態(tài)硬盤買什么好
其實也在糾結(jié)這個問題。。。不過我的是筆記本，雖然有兩個硬盤位但是不能組raid0。。。不過按目前來看我建議你先組raid0，最近ssd都在漲價。。而且30g的ssd性能大打折扣。。等80-120g的ssd價格降下來之后再上，然后再把多出來的硬盤拿出來做移動硬盤用。。滿意請采納。我就是tlc.好用穩(wěn)定，別學(xué)跟風(fēng)狗，人云亦云。不管選擇什么，品牌非常重要浦科特m6p出來啦，530也不錯浦科特m6p出來啦，530也不錯，都是質(zhì)保五年的呢本人剛買m6sslc的最好，價錢貴，壽命長，mlc的中等，價格平民，壽命不長不短，tlc的差，價格便宜，壽命短。固態(tài)壽命短的也可以用幾年，當(dāng)然，多少年就看怎么用法了，因為固態(tài)的壽命是和擦寫次數(shù)有關(guān)的。
4，目前有哪些nvme協(xié)議的mlc顆粒固態(tài)硬盤
零售的好像只有三喪的970pro是mlc，價格是tlc的一倍的樣子，然后就是企業(yè)級的里面有u2的，不過價格更高。然后就是sm9xx系列了，sm開頭的對應(yīng)零售版pro。pm開頭的是對應(yīng)evo的。因為tlc顆粒成本較低，許多主流固態(tài)硬盤都生產(chǎn)tlc的固態(tài)硬盤。而比起mlc的固態(tài)，tlc價格上也有一定優(yōu)勢。我查了一下，tlc顆粒理論壽命為1000pe，用戶擔(dān)心tlc壽命短，很多人不敢買，甚至認(rèn)為在讀寫次數(shù)上mlc更“長壽”。更有人黑tlc是一用就壞什么的，其實這些都是誤解為了終結(jié)這個留言。中關(guān)村進(jìn)行了一項長達(dá)3個月的試驗，測試的就是tlc的耐久度。到第四階段為止已經(jīng)寫入200tb數(shù)據(jù)，牛逼吧→_→在測試中所使用的所有ssd沒有出現(xiàn)任何質(zhì)量問題。因為我不是做廣告只是引用，所有就不給出傳送門了。就給出文章名字吧《tlc ssd耐久第四階段200tb寫入報告出爐》由此可見，tlc在寫入次數(shù)上實際上并不低。我們一般的用戶根本無需考慮tlc顆粒固態(tài)硬盤壽命問題，可以放心使用有一個，就是wd/西部數(shù)據(jù) wd black nvme固態(tài)硬盤的順序讀寫速度分別高達(dá)3400mb每秒和2800mb每秒，可滿足游戲、視頻編輯、虛擬現(xiàn)實等需求。wd black nvme固態(tài)硬盤適合堅強(qiáng)、冷酷、無畏的玩家，它集熾熱疾速與卓越性能于一身，因此制勝關(guān)鍵取決于內(nèi)部的巨大力量。
5，現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些
第一款：美光(micron)旗下品牌 英睿達(dá)(crucial) bx300系列 sata ssd第二款：建興(liteon) 睿速系列 t10 pcie/nvme ssd。第三款：金士頓(kingston) ms200系列 sata ssd第四款：金泰克（tigo）s520系列 sata ssd基本上都是這種。就好比你再問，現(xiàn)在非曲屏手機(jī)有哪些？那不就忒好找了嗎？曲屏手機(jī)只有5粗?jǐn)n共6款手機(jī)，剩余的海量手機(jī)都是非曲屏的手機(jī)。是一個意思。分為slc/mlc/tlc，而隨著晶圓物理極限的不斷迫近，固態(tài)硬盤上單體的存儲單元內(nèi)部的能夠裝載的閃存顆粒已經(jīng)接近極限了，更加專業(yè)的術(shù)語表述就是單die能夠裝載的顆粒數(shù)已經(jīng)到達(dá)極限了，要想進(jìn)一步擴(kuò)大單die的可用容量，就必須在技術(shù)上進(jìn)行創(chuàng)新。?晶圓物理容量已接近極限于是，3d nand技術(shù)也就應(yīng)運而生了。在解釋3d nand之前，我們先得弄清楚2d nand是什么，以及“2d”和“3d”的真實含義。首先是2d nand，我們知道在數(shù)學(xué)和物理領(lǐng)域，2d/3d都是指的方向，都是指的坐標(biāo)軸，“2d”指的是平面上的長和寬，而“3d”則是在“2d”基礎(chǔ)上，添加了一個垂直方向的“高”的概念。由此，2d nand真實的含義其實就是一種顆粒在單die內(nèi)部的排列方式，是按照傳統(tǒng)二維平面模式進(jìn)行排列閃存顆粒的。相對應(yīng)的，3d nand則是在二維平面基礎(chǔ)上，在垂直方向也進(jìn)行顆粒的排列，即將原本平面的堆疊方式，進(jìn)行了創(chuàng)新。利用新的技術(shù)(即3d nand技術(shù))使得顆粒能夠進(jìn)行立體式的堆疊，從而解決了由于晶圓物理極限而無法進(jìn)一步擴(kuò)大單die可用容量的限制，在同樣體積大小的情況下，極大的提升了閃存顆粒單die的容量體積，進(jìn)一步推動了存儲顆?？傮w容量的飆升。