(1)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的組成：由單個(gè)mos管來存儲(chǔ)一位二進(jìn)制信息。信息存儲(chǔ)在mos管的源極的寄生電容cs中。
◎?qū)憯?shù)據(jù)時(shí)：字線為高電平，t導(dǎo)通。
寫“1”時(shí)，位線(數(shù)據(jù)線)為低電平， vdd(電源)將向電容充電
寫“0時(shí)，位線(數(shù)據(jù)線)為高電平， 若電容存儲(chǔ)了電荷，則將會(huì)使電容完成放電，就表示存儲(chǔ)了“0”。
◎ 讀數(shù)據(jù)時(shí)：先使位線(數(shù)據(jù)線)變?yōu)楦唠娖?，?dāng)字線高電平到來時(shí)t導(dǎo)通，若電容原存儲(chǔ)有電荷( 是“1” )，則電容就要放電，就會(huì)使數(shù)據(jù)線電位由高變低;若電容沒有存儲(chǔ)電荷( 是“0” )，則數(shù)據(jù)線電位不會(huì)變化。檢測(cè)數(shù)據(jù)線上電位的變化就可以區(qū)分讀出的數(shù)據(jù)是1還是0。
注意
①讀操作使電容原存儲(chǔ)的電荷丟失，因此是破壞性讀出。為保持原記憶內(nèi)容，必須在讀操作后立刻跟隨一次寫入操作，稱為預(yù)充電延遲。
②向動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元提供地址，是先送行地址再送列地址。原因就是對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器必須定時(shí)刷新(如2ms)，刷新不是按字處理，而是每次刷新一行，即為連接在同一行上所有存儲(chǔ)單元的電容補(bǔ)充一次能量。
③在動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的位線上讀出信號(hào)很小，必須接讀出放大器，通常用觸發(fā)器線路實(shí)現(xiàn)。
④存儲(chǔ)器芯片內(nèi)部的行地址和列地址鎖存器分先后接受行、列地址。
⑤ras、cas、we、din、dout時(shí)序關(guān)系如下圖：