kri 離子源用于離子束濺射鍍制 ge 納米薄膜的研究
在硅襯底上生長 ge 量子點(diǎn)唄認(rèn)為是可能實(shí)現(xiàn) si 基發(fā)光的重要途徑, 對(duì) si 基光電子、微電子或單電子器件有重要影響.
某研究所采用伯東 kri離子源用于離子束濺射鍍制 ge 納米薄膜的研究.
該研究采用的是 fjl560 iii 型超高真空多靶磁控與離子束聯(lián)合濺射設(shè)備的離子束濺射室內(nèi)制備樣品, 生長室的本底真空度低于 4x10-4pa.
其系統(tǒng)工作示意圖如下：
該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、離子源、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.
用于濺射的離子源采用伯東的 kri 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:
伯東 kri 聚焦型射頻離子源rficp 380 技術(shù)參數(shù)：
射頻離子源型號(hào)
rficp 380
discharge 陽極
射頻 rficp
離子束流
>1500 ma
離子動(dòng)能
100-1200 v
柵極直徑
30 cm φ
離子束
聚焦
流量
15-50 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型壓力
< 0.5m torr
長度
39 cm
直徑
59 cm
中和器
lfn 2000
推薦理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
生長室的本底真空度低于 4x10-4pa, 經(jīng)推薦采用伯東泵組 hicube80 pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：
分子泵組hicube80 pro技術(shù)參數(shù):
進(jìn)氣法蘭
氮?dú)獬樗?br>n2, l/s
極限真空 hpa
前級(jí)泵
型號(hào)
前級(jí)泵抽速
m³/h
前級(jí)真空
安全閥
dn 40 iso-kf
35
< 1x10-7
pascal 2021
18
avc 025 ma
運(yùn)行結(jié)果：
得到了尺寸較均勻的 ge 島, 島的數(shù)量也很多.
伯東是德國pfeiffer真空泵,檢漏儀,質(zhì)譜儀,真空計(jì), 美國kri考夫曼離子源, 美國hva 真空閥門, 美國intest高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國 ambrell感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 ns離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.