本文主要介紹ddr3是什么意思(ddr3和ddr4是什么意思)，下面一起看看ddr3是什么意思(ddr3和ddr4是什么意思)相關(guān)資訊。
1. ddr3什么樣子
ddr3內(nèi)存頻率為1033，1600，2133，2400。
計(jì)算機(jī)的時(shí)鐘速度是用頻率來衡量的。晶體振蕩器控制時(shí)鐘速度，當(dāng)給應(yīng)時(shí)晶片施加電壓時(shí)，它以正弦波的形式振動(dòng)，這可以通過晶片的變形和大小來記錄。
內(nèi)存本身沒有晶振，所以內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號由主板芯片組的北橋提供，或者直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供。也就是說，內(nèi)存不能決定自己的工作頻率，它的實(shí)際工作頻率是由主板決定的。
2. ddr3長什么樣
1、lpddr3主要是功耗更低，lpddr3內(nèi)存主要用于內(nèi)部空間緊湊的超極本。這是因?yàn)閱蝹€(gè)lpddr3的容量可以是4gb或者6gb，而單個(gè)ddr4顆粒的最大尺寸只有2gb，板載設(shè)計(jì)可以直接搭配lpddr3使用，所以更常用于超極本；
2.日常使用中，目前大部分超極本采用雙通道lpddr3內(nèi)存，相比單ddr4內(nèi)存，性能更好，讀寫速度更快；雙通道lpddr3 2133mhz讀寫復(fù)制性能優(yōu)于單通道ddr4 2666mhz，與雙通道ddr4 2400mhz相當(dāng)，弱于雙通道ddr 4 2666 mhz。
3.因此，在購買超極本時(shí)，您不要不需要太在意內(nèi)存是lpddr3還是ddr4。你只需要考慮內(nèi)存容量是否能滿足使用需求。
3. ddr3外觀
單面穩(wěn)定，雙面兼容性好。
1.內(nèi)存分單面和雙面。性能一模一樣。
2.而單面存儲器結(jié)構(gòu)簡單，出錯(cuò)幾率小，技術(shù)先進(jìn)，使用更穩(wěn)定。
3.雙面內(nèi)存技術(shù)比較老，但也正是因?yàn)榧夹g(shù)老，所以兼容性好。升級舊電腦時(shí)，最好升級雙面內(nèi)存。
4. ddr3是啥
gddr 3和ddr3的區(qū)別在于：
1.gddr3專門用于沒有集成內(nèi)存控制器的顯卡，ddr3則完全從電腦內(nèi)存中扣除。
2.gddr3的成本大于ddr3
3.ddr3更省電，gddr3更容易達(dá)到高頻。而且由于ddr3的cl值較低，即使是同頻率的gddr3也略快。gddr3是專門為顯卡制定的內(nèi)存顆粒。gddr3基于ddr2的架構(gòu)，經(jīng)過特別加強(qiáng)和更好的封裝，以優(yōu)化圖形處理的需求。它可以不等于目前市面上主流的ddr3內(nèi)存。也可以說gddr3是ddr2的增強(qiáng)打包版，通過4-4位預(yù)取讀取數(shù)據(jù)。gddr4和gddr5對應(yīng)ddr3內(nèi)存架構(gòu)，通過8-8位預(yù)取讀取數(shù)據(jù)。可以分析出gddr3和ddr3是完全不同的規(guī)格。
5. ddr3有幾種
ddr 3和ddr2的區(qū)別：
1.ddr2是1.8v，ddr3是1.5v；
2.ddr3采用csp和fbga封裝，8位芯片采用78球fbga封裝，16位芯片采用96球fbga封裝，ddr2采用60/68/84球fbga封裝。
3.邏輯庫數(shù)量，ddr2有4個(gè)庫，8個(gè)庫，而ddr3有8個(gè)初始庫；
4.突發(fā)長度。因?yàn)閐dr3預(yù)計(jì)為8位，所以突發(fā)長度(bl)也固定為8位。對于ddr2和早期的ddr架構(gòu)系統(tǒng)，bl=4也是常用的。
ddr3為此增加了4位突發(fā)斬波模式，即bl=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸由bl=4的讀操作和bl=4的寫操作合成。此時(shí)，這種突發(fā)模式可以由112位地址線控制；
5.尋址時(shí)序：ddr2的al為0~4，ddr3為0，cl-1，cl-2。此外，ddr3增加了——寫延遲的定時(shí)參數(shù)(cwd)；
6.位預(yù)?。篸dr 2是4位預(yù)取，ddr3是8位預(yù)??；
7.新功能：zq是一個(gè)新的引腳，它與240歐姆的低容差參考電阻相連。增加了自刷新溫度可編程存儲器的時(shí)鐘頻率功能。
加入pasr(partialarray self-refresh)局部存儲體刷新功能，可以說可以對整個(gè)存儲體進(jìn)行更有效的數(shù)據(jù)讀寫，達(dá)到省電效果；
8.ddr3的參考電壓分為兩部分，即服務(wù)于命令和地址信號的vrefca和服務(wù)于數(shù)據(jù)總線的vrefdq，將有效降低系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪比水平；
9.點(diǎn)對點(diǎn)連接(p2p)，這是提高系統(tǒng)性能的一個(gè)重要變化。
6. ddr3l和ddr3的外觀
內(nèi)存芯片pc3和pc3l在功耗、延遲時(shí)間、顆粒大小上是不同的。
第一，功耗不同
1.內(nèi)存pc3l:內(nèi)存pc3l的核心工作電壓由1.8v降至1.5v，功耗降低。
2.內(nèi)存pc3:為了滿足高帶寬的要求，內(nèi)存pc3的功耗很高。
第二，延遲時(shí)間不同
1.內(nèi)存pc3l:內(nèi)存pc3l由于能耗更低，可以達(dá)到更高的工作頻率，一定程度上彌補(bǔ)了延遲時(shí)間長的問題。
2.內(nèi)存pc3:內(nèi)存pc3由于能耗高，存在延遲時(shí)間長的缺點(diǎn)。
三。不同的顆粒規(guī)格
1.內(nèi)存條pc3l:內(nèi)存條pc3l的顆粒尺寸大多為32m x 32bit，單個(gè)顆粒的容量較大，四個(gè)芯片可以組成128mb顯存。
2.內(nèi)存pc3:內(nèi)存pc3的顆粒尺寸為16m x 32bit，占用8塊中高端顯卡常用的128mb顯存。
7. ddr3有什么用
可以兼容。前提是主板要支持ddr3內(nèi)存，主板對內(nèi)存插槽的輸出電壓不在ddr3和ddr3l之間劃分。
支持ddr3的板電壓一直是1.5v，帶ddr3l的插條也是1.5v，混音沒有問題。
如果主板只支持ddr3l的條紋，槽電壓輸出為1.35v，此時(shí)插ddr3的條紋可能不起作用，此時(shí)不能混用。ps: haswell平臺一般只能用ddr3l。
8. ddr3和ddr4外形
ddr 3和ddr4的性能區(qū)別：ddr 4內(nèi)存外觀變化明顯，金手指變彎了。2: ddr 4內(nèi)存頻率提升明顯，達(dá)到4266 mhz。3: ddr 4內(nèi)存容量明顯增加，達(dá)到128 gb4: ddr 4功耗明顯下降，電壓達(dá)到1.2v甚至更低。
3 ddr3傳輸速度高達(dá)2133mhz而ddr4的傳輸速度從2133mhz起步，最高可以達(dá)到4266mhz。
在存儲方面，同單位的ddr4芯片存儲空間是ddr3的兩倍，ddr4最多可搭載8個(gè)模塊。是ddr3的兩倍。這樣，ddr4模塊在相同空間內(nèi)的最大容量是ddr3的4倍。ddr3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源為1.5v，而ddr4則降至1.2v，專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗ddr4甚至降至1.1v。
ddr4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。ddr4內(nèi)存的每個(gè)引腳可以提供2gbps(256mb/s)的帶寬，ddr4-3200為51.2gb/s，比ddr3-1866高出70%以上。
默認(rèn)頻率ddr4 2133 cl15
ddr4 2133頻率下的帶寬測試：48.4gb/s
ddr4采用3ds堆棧封裝技術(shù)后，單個(gè)內(nèi)存的容量最高可達(dá)目前產(chǎn)品的8倍。比如目前常見的海量內(nèi)存，單個(gè)容量8gb(單個(gè)芯片512mb，共16個(gè)芯片)，而ddr4可以達(dá)到64gb甚至128gb。電壓方面，ddr4將采用20nm以下的工藝制造，電壓將從ddr3的1.5v降至ddr4的1.2v，移動(dòng)版so-dimmd dr4的電壓更低。
9. 什么是ddr3
ddr3是第三代雙速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是現(xiàn)在主流的存儲器規(guī)格。333是內(nèi)存頻率，這是一個(gè)很復(fù)雜的概念。如果把內(nèi)存比作一輛車，ddr1就是一個(gè)人的腿，ddr2是一輛馬車，而ddr3是一輛汽車。理論上1333mhz的內(nèi)存分頻越高越好，但要根據(jù)實(shí)際情況來考慮。
了解更多ddr3是什么意思(ddr3和ddr4是什么意思)相關(guān)內(nèi)容請關(guān)注本站點(diǎn)。