本文主要介紹簡要說明ram和rom的主要區(qū)別(ram和rom各有什么特點)，下面一起看看簡要說明ram和rom的主要區(qū)別(ram和rom各有什么特點)相關(guān)資訊。
說起ram，相信大家都略知一二，但是你知道各種ram的原理和區(qū)別嗎？
一.導(dǎo)言
在計算機的結(jié)構(gòu)中，有一個非常重要的部分，那就是內(nèi)存。內(nèi)存是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件。對于電腦來說，只有有了內(nèi)存，才有記憶功能，才能保證正常工作。
存儲器有很多種，按用途可分為主存儲器和輔助存儲器。主存簡稱內(nèi)存，內(nèi)存在計算機中起著重要的作用。通常，使用半導(dǎo)體存儲單元。因為ram是最重要的內(nèi)存，所以我們通常直接稱之為內(nèi)存。
內(nèi)存是存儲程序和數(shù)據(jù)的地方。例如，當我們使用wps處理文檔時，當你在鍵盤上鍵入字符時，它會存儲在內(nèi)存中。當您選擇保存磁盤時，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)將被存儲到硬盤中。
第二，關(guān)于ram
隨機存取存儲器。ram也叫內(nèi)存，與rom相比，兩者最大的區(qū)別在于，ram中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后會自動消失，而rom不會自動消失，因此可以在不斷電的情況下保存很長時間。
3、對靜電敏感
像其他精細集成電路一樣，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾內(nèi)存中電容的充電，造成數(shù)據(jù)丟失，甚至燒壞電路。因此，在觸摸風筒之前，應(yīng)該用手觸摸金屬地面。
4.存取速率
現(xiàn)代隨機存取存儲器的讀寫速度幾乎是所有存取設(shè)備中最快的，存取延遲與其他涉及機械操作的存儲設(shè)備相比微不足道。
5.需要刷新
現(xiàn)代隨機存取存儲器依靠電容器來存儲數(shù)據(jù)。充滿電的電容代表1，未充電的電容代表0。因為電容或多或少會漏電，如果不做特殊處理，隨著時間的推移，數(shù)據(jù)會逐漸丟失。
刷新就是在指定的周期內(nèi)讀取電容的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)復(fù)位到sram)
靜態(tài)存儲單元是在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎(chǔ)上增加門控制而形成的。因此，它通過觸發(fā)器的自我保護功能來存儲數(shù)據(jù)。我們通?？梢栽谝恍╅_發(fā)板上看到它，比如issi芯片。
2.動態(tài)隨機存取存儲器
動態(tài)ram的存儲矩陣由動態(tài)mos存儲單元組成。動態(tài)mos存儲單元利用mos管的柵電容來存儲信息，但由于柵電容的容量很小，漏電流不可能絕對等于0，所以電荷的存儲時間有限。
為了避免存儲信息的丟失，需要定期給電容補充泄漏的電荷。這種操作通常被稱為 刷新 or 再生 ，所以dram內(nèi)部應(yīng)該有刷新控制電路，其操作比靜態(tài)ram更復(fù)雜。
然而，由于dram存儲列表元結(jié)構(gòu)可以做得非常簡單，元器件少，功耗低，已經(jīng)成為大容量ram的主流產(chǎn)品。
第四，關(guān)于sdram
看到這里，有些讀者可能會想:sdram = sram dram，這其實是錯誤的。sdram:同步動態(tài)隨機存取存儲器。sdram是具有同步接口的動態(tài)隨機存取存儲器(dram)。
同步是指內(nèi)存需要一個同步時鐘，內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都是基于它；動態(tài)意味著存儲陣列需要不斷刷新，以確保數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是按線性順序存儲，而是按指定地址讀寫。
目前168線64位帶寬存儲器基本采用sdram芯片，工作電壓3.3v，存取速度高達7.5ns，而最快的edo存儲器為15ns。ram和cpu控制在同一時鐘頻率，使ram和cpu的外部頻率同步，取消了等待時間，所以其傳輸速率比edo dram快。
sdram從發(fā)展至今已經(jīng)經(jīng)歷了五代，即第一代sdr sdram、第二代ddr sdram、第三代ddr2 sdram、第四代ddr3 sdram、第五代ddr4 sdram。
第一代sdram采用單端時鐘信號，第二、三、四代由于工作頻率更快，采用差分時鐘信號作為同步時鐘來減少干擾。
五、sram的區(qū)別靜態(tài)隨機存取存儲器，主要依靠觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)，不需要刷新。而dram則是一種動態(tài)隨機存取存儲器，依靠mosfet中的柵極電容來存儲數(shù)據(jù)，需要不斷刷新來補充放電的電荷。
因為單管可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，所以集成度可以更高，功耗更低，更主流。需要注意的是，dram的存取速度沒有sram快，因為刷新涉及到電容的充放電過程。
至于sdram，它是同步動態(tài)隨機存取存儲器，屬于dram的一種，工作過程需要同步時鐘的配合。因此，可以忽略不同路徑延誤的影響，避免不確定性。普通dram屬于異步傳輸。當訪問數(shù)據(jù)時，它必須等待幾個時鐘才能運行(考慮到不確定狀態(tài))，因為這樣會花費更多的時間，影響數(shù)據(jù)傳輸速率。隨著時鐘頻率的不斷提高，這種瓶頸會越來越明顯，sdram的優(yōu)勢會更加體現(xiàn)出來。
(部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò))
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