半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線如圖1所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。
圖1 二極管的伏安特性曲線
1. 正向特性
當(dāng)v＞0，即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：
當(dāng)0＜v＜vth時(shí)，正向電流為零，vth稱為死區(qū)電壓或開(kāi)啟電壓。
當(dāng)v＞vth時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。
硅二極管的死區(qū)電壓vth＝0.5 v左右，
鍺二極管的死區(qū)電壓vth＝0.1 v左右。
2. 反向特性
當(dāng)v＜0時(shí)，即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：
當(dāng)vbr＜v＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流is。
當(dāng)v≥vbr時(shí)，反向電流急劇增加，vbr稱為反向擊穿電壓。
在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過(guò)渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看，硅二極管若|vbr|≥7v時(shí)，主要是雪崩擊穿；若vbr≤4v則主要是齊納擊穿，當(dāng)在4v～7v之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。