內(nèi)存時(shí)序高低有什么影響(內(nèi)存時(shí)序是什么意思內(nèi)存時(shí)序高好還是低好)

發(fā)布時(shí)間:2024-02-17
本文為大家介紹內(nèi)存時(shí)序高低有什么影響(內(nèi)存時(shí)序是什么意思?內(nèi)存時(shí)序高好還是低好?),下面和小編一起看看詳細(xì)內(nèi)容吧。
內(nèi)存時(shí)序高會怎么樣?影響電腦性能嗎?
1. 這些參數(shù)指定影響隨機(jī)存取存儲器速度的潛伏期(延遲時(shí)間)。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能。決定系統(tǒng)性能的最后一個(gè)因素是實(shí)際延遲,通常以納秒為單位。內(nèi)存時(shí)序?qū)π阅苡泻艽笥绊憽?
2、內(nèi)存時(shí)序高,會影響電腦的性能。值越高,性能越差。日常使用表現(xiàn)基本沒感覺。用戶無法理解。在玩游戲的時(shí)候,會有明顯的差異,尤其是fps游戲,會有2幀以上的差異,這個(gè)差異是不小的。
3.提高內(nèi)存頻率或減少內(nèi)存時(shí)序都可以提高計(jì)算機(jī)性能;如果更注重單核性能,則需要考慮更多地減少時(shí)序;如果提高內(nèi)存頻率在游戲性能方面已經(jīng)達(dá)到瓶頸,可以考慮降低。計(jì)時(shí)可以進(jìn)一步提高游戲性能。
4.加時(shí)順序不加壓對記憶沒有影響。加壓會有一些影響,但只要不超過6v,一般是沒有問題的。內(nèi)存時(shí)序是描述內(nèi)存條性能的參數(shù),一般存儲在內(nèi)存條的spd中。
內(nèi)存時(shí)序多少好
1、內(nèi)存條,但值得注意的是這些廉價(jià)內(nèi)存的時(shí)序是cl11,時(shí)鐘周期比是2t,電壓是65v(常見的是5v,低壓35v)??梢哉f它除了帶寬什么都沒有。
2.內(nèi)存時(shí)序最好讓主板自動(dòng)設(shè)置。對于內(nèi)存時(shí)序,最佳時(shí)序設(shè)置記錄在內(nèi)存的spd中。主板可以自動(dòng)讀取。默認(rèn)是自動(dòng)的,不需要人工干預(yù)。如果手動(dòng)設(shè)置,將時(shí)序設(shè)置為較小的值,可以提高計(jì)算機(jī)的性能。但是也很容易崩潰。
3、cl5-5-5-15應(yīng)該不錯(cuò)。我使用的金邦黑龍條ddr2 800是為數(shù)不多的頻率時(shí)序?yàn)?-4-4-12的800m內(nèi)存之一。記性好不好,全看顆粒。目前來說,美光顆粒的內(nèi)存是最好的。
4、時(shí)序?yàn)閏l30-40-40-96。 ddr5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與ddr4內(nèi)存相比,ddr5標(biāo)準(zhǔn)具有更強(qiáng)的性能和更低的功耗。
5.-18-18-38。 3200內(nèi)存的工作標(biāo)準(zhǔn)電壓為35v,正常時(shí)序?yàn)?6-18-18-38。內(nèi)存時(shí)序是描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(sdram) 性能的四個(gè)參數(shù)之一。
到底什么是內(nèi)存時(shí)序?為何都說買內(nèi)存外行看頻率,內(nèi)行看時(shí)序
內(nèi)存時(shí)序只是內(nèi)存延遲。比較時(shí),內(nèi)存時(shí)序數(shù)字越小,內(nèi)存越快。一般的記憶時(shí)序由5個(gè)數(shù)字和4個(gè)連接符號組成。有的內(nèi)存時(shí)序在標(biāo)記的時(shí)候省略了第五個(gè)數(shù)字,所以好像只有3、4個(gè)數(shù)字。
/2/2/6-11/1t中的最后兩個(gè)時(shí)序參數(shù),即tras和cmd(command縮寫),是比較復(fù)雜的時(shí)序參數(shù)。目前市場上對這兩個(gè)參數(shù)的理解存在一些誤區(qū),因?yàn)橛行﹥?nèi)存廠商直接用它們來表示內(nèi)存性能。
內(nèi)存時(shí)序是指描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存性能的四個(gè)參數(shù)。內(nèi)存時(shí)序的四個(gè)參數(shù):cl、trcd、trp、tras,單位為時(shí)鐘周期。它們通常寫成由破折號分隔的四個(gè)數(shù)字,例如7-8-8-24。
是指內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間;第三個(gè)trp,即ras precharge time,表示內(nèi)存行地址選通脈沖的預(yù)充電時(shí)間;第四個(gè)tras,即ras active time,描述了行地址的激活時(shí)間。
內(nèi)存頻率高時(shí)序高好還是內(nèi)存頻率低時(shí)序低好?
時(shí)序?qū)π阅艿挠绊懼挥?-5%?,F(xiàn)在高頻內(nèi)存的時(shí)序比較大,不用擔(dān)心。選頻為王。前提是你的cpu能拉高,不然就是浪費(fèi)錢。
除非對功耗非常敏感(功耗與運(yùn)行頻率有關(guān)),當(dāng)然是頻率越高越好,頻率越高,運(yùn)行速度越快。
如果你電腦的顯卡和cpu都不是頂級的,就沒必要買頻率特別高的內(nèi)存條。就算顯卡和cpu再頂級,買個(gè)高頻內(nèi)存條也只能提高十幾幀。
內(nèi)存時(shí)序與內(nèi)存頻率一樣,代表了內(nèi)存的性能。頻率和時(shí)序共同決定了內(nèi)存的運(yùn)行速度。但是,相對于頻率,時(shí)序由四位數(shù)字組成,每一位代表不同的含義。
相同頻率下內(nèi)存時(shí)序高好還是低好
1.時(shí)序?qū)π阅艿挠绊懼挥?-5%?,F(xiàn)在高頻內(nèi)存的時(shí)序比較大,不用擔(dān)心。選頻為王。前提是你的cpu能拉高,不然就是浪費(fèi)錢。
2. 一般來說,時(shí)序是決定內(nèi)存性能的一個(gè)參數(shù),但并不代表時(shí)序越低性能越好。還與存儲容量和頻率有關(guān),只能說在容量和頻率相同的兩塊內(nèi)存中,時(shí)序越低性能越好。
3.一定是后者。永遠(yuǎn)記住,時(shí)序越小,速度越快,性能越好。至于頻率,本來就是廠家的標(biāo)識,沒有絕對的。
內(nèi)存是低時(shí)序低頻率好還是高時(shí)序高頻率好
除非對功耗非常敏感(功耗與運(yùn)行頻率有關(guān)),當(dāng)然是頻率越高越好,頻率越高,運(yùn)行速度越快。
時(shí)序?qū)π阅艿挠绊懼挥?-5%?,F(xiàn)在高頻內(nèi)存的時(shí)序比較大,不用擔(dān)心。選頻為王。前提是你的cpu能拉高,不然就是浪費(fèi)錢。
如果你電腦的顯卡和cpu都不是頂級的,就沒必要買頻率特別高的內(nèi)存條。就算顯卡和cpu再頂級,買個(gè)高頻內(nèi)存條也只能提高十幾幀。
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