在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導體的某種載流子濃度大大增加。如果使自由電子濃度大大增加的雜質半導體稱為n型半導體（電子半導體），使空穴濃度大大增加的雜質半導體稱為p型半導體（空穴半導體）。
1、n型半導體
在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相鄰的半導體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。如圖1所示。
圖1 n型半導體的晶體結構
在n型半導體中，自由電子的濃度遠大于空穴的濃度，因此自由電子稱為多數載流子（簡稱多子），而其中空穴稱為少數載流子（簡稱少子）。n型半導體主要靠自由電子導電，摻入的雜質越多，自由電子的濃度就越高，導電性能也就越強。
2、p型半導體
在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的半導體原子形成共價鍵時，產生一個空穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的帶負電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子。如圖2所示。
圖2 p型半導體的晶體結構
在p型半導體中，空穴的濃度遠大于自由電子的濃度，因此空穴稱為多數載流子（簡稱多子），而其中自由電子稱為少數載流子（簡稱少子）。p型半導體主要靠空穴導電，摻入的雜質越多，空穴的濃度就越高，導電性能也就越強。
在雜質半導體中，多數載流子的濃度由摻入的雜質濃度決定；少數載流子的濃度主要取決于溫度的影響。
對于雜質半導體來說，無論是n型還是p型半導體，從總體上看，仍然保持著電中性。為了簡單起見，通常只畫出其中的正離子和等量的自由電子來表示n型半導體，同樣地，只畫出負離子和等量的空穴來表示p型半導體，分別如圖3所示。
圖3 雜質半導體的簡化表示法
雜質半導體的奇妙之處在于：本征半導體摻入不同性質、不同濃度的雜質后，并對p型半導體和n型半導體采用不同的方式組合，可以制造出形形色色、品種繁多、用途各異的半導體器件。