1．結(jié)構(gòu) 單結(jié)晶體管也是一種半導(dǎo)體器件。它的外形和普通三極管相似，同樣有三個(gè)電極，但在結(jié)構(gòu)上卻只有一個(gè)pn結(jié)，故稱為單結(jié)晶體管。如圖1所示，它是在一塊低摻雜（高電阻率）的n型硅基片一側(cè)的兩端各引出一個(gè)電極，稱為第一基極b1和第二基極b2。而在硅片的另一側(cè)較靠近b2處利用半導(dǎo)體工藝摻入p型雜質(zhì)，形成一個(gè)pn結(jié)，引出電極稱為發(fā)射極e。單結(jié)晶體管的發(fā)射極與任一基極之間都存在著單向?qū)щ娦浴＿@樣，我們可將單結(jié)晶體管看成是一個(gè)二極管d和兩個(gè)電阻rb1、 rb2的等效電路。其中rb1和rb2分別為兩個(gè)基極至pn結(jié)之間的電阻。兩基極之間的電阻rbb= rb＋rb2，一般約有 2～15 kω。
圖1 單結(jié)晶體管
2．工作特性
我們可將單結(jié)晶體管按圖2的電路連接，通過實(shí)驗(yàn)來觀察其工作特性。
圖2 單結(jié)晶體管工作原理圖
單結(jié)晶體管工作時(shí)，需要在兩個(gè)基極間加直流電壓vbb，且b2接正極，b1接負(fù)極。在發(fā)射極不加電壓時(shí)，rb1兩端分得電壓為
式中凡 稱為單結(jié)晶體管的分壓比，用 表示，所以
分壓比是單結(jié)晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，其值與管子結(jié)構(gòu)有關(guān)，一般在0.5～0.9之間。
調(diào)節(jié)rp ，使 從零開始逐漸增加。當(dāng)時(shí)，單結(jié)晶體管內(nèi)的pn結(jié)處于反向偏置，e和b1之間不能導(dǎo)通，呈現(xiàn)很大的電阻，故單結(jié)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。
當(dāng) 時(shí)，單結(jié)晶體管內(nèi)的pn結(jié)便承受正向電壓而導(dǎo)通，發(fā)射極電流突然增大。這一使e、b1極之間由截止突然變?yōu)閷?dǎo)通所需的控制電壓稱為單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓，用 表示。顯然
單結(jié)晶體管導(dǎo)通后，因e、b1極之間的電阻下降很多，雖然這時(shí) 較大，但 上的壓降不大，所以a點(diǎn)的電位較低，這時(shí)，即使控制電壓調(diào)節(jié)到低于峰點(diǎn)電壓 以下，單結(jié)晶體管仍繼續(xù)導(dǎo)通。直到控制電壓 降到某一數(shù)值以下，使pn結(jié)再次反偏時(shí)，單結(jié)晶體管才由導(dǎo)通突然變?yōu)榻刂?。這一使單結(jié)晶體管從導(dǎo)通變?yōu)榻刂沟目刂齐妷悍Q為單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓，用表示。
綜上所述，單結(jié)晶體管具有下列幾個(gè)特點(diǎn)：
（1）單結(jié)晶體管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。當(dāng)發(fā)射極電壓等于峰點(diǎn)電壓 時(shí)，單結(jié)晶體管可由截止突變?yōu)閷?dǎo)通。導(dǎo)通之后，當(dāng)發(fā)射極電壓小于谷點(diǎn)電壓 時(shí)，單結(jié)晶體管就又突然恢復(fù)截止。
（2）不同的單結(jié)晶體管，它們有不同的 和 。同一單結(jié)晶體管，若所加的 不同，它的 和 也有所不同。例如型號為 bt33b的單結(jié)晶體管，若 ，則約等于12. 8 v， 約等于 3 v。若 ，則 約等于 6.7 v， 約等于2．6v。
（3）單結(jié)晶體管的發(fā)射極與第一基極之間的電阻 是一個(gè)隨發(fā)射極電流而變的電阻。在單結(jié)晶體管未導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極電流很小， 是一個(gè)高電阻。導(dǎo)通后，隨著發(fā)射極電流的增大， 急劇下降。而 則是一個(gè)與發(fā)射極電流無關(guān)的電阻。所以，在單結(jié)晶體管的等效電路中， 用可變電阻表示。