在一塊摻雜濃度較低的p型硅襯底上，用光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的n+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(sio2)絕緣層，在漏-源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。另外在襯底上也引出一個(gè)電極b，這就構(gòu)成了一個(gè)n溝道增強(qiáng)型mos管。顯然它的柵極與其他電極間是絕緣的。圖 1(a)、(b)分別是它的結(jié)構(gòu)示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由p(襯底)指向n(溝道)。p溝道增強(qiáng)型mos管的箭頭方向與上述相反，如圖 1(c)所示。