在功率電子器件領(lǐng)域，sic和gan技術(shù)的發(fā)展使得高效、高速和高溫應(yīng)用成為可能。這二者相較于傳統(tǒng)的si技術(shù)，具有更高的載流子遷移率、更小的漏電流和更高的工作電壓。
然而，盡管這些新技術(shù)已成功地證明了它們?cè)谝恍╊I(lǐng)域的優(yōu)越性，但是關(guān)于它們的可靠性和質(zhì)量問題也引起了人們的關(guān)注。 事實(shí)上， 隨著設(shè)備尺寸的減小，芯片制造過程中會(huì)出現(xiàn)一些比傳統(tǒng)設(shè)備更顯著的制造缺陷，這可能會(huì)嚴(yán)重影響sic和gan器件的工作能力和壽命。
因此，制造商和設(shè)計(jì)師需要采取措施來提高這些器件的可靠性和質(zhì)量。 加工sic和gan芯片時(shí)，應(yīng)注意環(huán)境要求特別是防塵和防靜電。另外，良好的制造質(zhì)量控制以及高品質(zhì)的原材料也是保證芯片品質(zhì)的關(guān)鍵。
同時(shí)，應(yīng)在測(cè)試和驗(yàn)證階段進(jìn)行更嚴(yán)格的評(píng)估和測(cè)試，以確保器件符合設(shè)計(jì)規(guī)格和正確的性能重復(fù)性。 特別的，需要對(duì)受到高溫、高壓和擴(kuò)散/漂移問題的器件進(jìn)行額外的檢測(cè)和驗(yàn)證。
還應(yīng)注意測(cè)試條件的保護(hù)，如注重測(cè)試中的電極設(shè)計(jì)和電氣特性的多目標(biāo)測(cè)試。 與此同時(shí)，通過使用可靠的封裝技術(shù)以保護(hù)功率器件和關(guān)閉開放，也可以提高sic和gan器件的可靠性和壽命。
需要明確的是，由于其特殊的特性和制造過程，理論上來說，sic和gan器件的質(zhì)量和可靠性問題仍將是一直需要關(guān)注的問題。 采取這些措施可以最大程度地減少現(xiàn)有缺陷和將來的偏差，最終提高sic和gan器件的可靠性和質(zhì)量，推動(dòng)該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。