金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal oxide semiconductor field effect transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)mosfet）是一種非常常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視、智能家居等。在學(xué)習(xí)mosfet之前，我們需要了解以下五個(gè)知識(shí)點(diǎn)：
1. mosfet的結(jié)構(gòu)
mosfet由源極、漏極和柵極構(gòu)成。其中，柵極被放置在兩個(gè)平行的p型或n型半導(dǎo)體之間，這個(gè)區(qū)域被稱(chēng)為溝道。柵極通過(guò)溝道控制漏電流。
2. mosfet的工作原理
當(dāng)柵極與源或漏極電位相等時(shí)，溝道中沒(méi)有電子流動(dòng)。當(dāng)柵極電位高于源極電位時(shí)，溝道被填充電子。因此，源極至漏極的電流流經(jīng)溝道，mosfet就開(kāi)始導(dǎo)通。當(dāng)柵極電位回到與源或漏極電位相等時(shí)，mosfet停止導(dǎo)通。
3. mosfet的類(lèi)型
mosfet有兩種類(lèi)型，分別為n型和p型。n型mosfet的溝道為n型半導(dǎo)體，柵極為p型半導(dǎo)體。p型mosfet的溝道為p型半導(dǎo)體，柵極為n型半導(dǎo)體。兩種類(lèi)型的mosfet都分為增強(qiáng)型和耗盡型，即柵極電壓的增加使得開(kāi)啟越來(lái)越容易，或者關(guān)閉越來(lái)越困難。
4. mosfet的應(yīng)用
mosfet在電路中經(jīng)常作為開(kāi)關(guān)使用，用于控制電流的流動(dòng)。例如，mosfet可用于控制led的亮度，也可用于步進(jìn)電機(jī)控制。mosfet還用于放大器中，以放大電路中的信號(hào)。
5. mosfet的特點(diǎn)
mosfet比雙極晶體管更快、更小、更耗電更少。mosfet還具有靜態(tài)電容（gate capacitance），這意味著mosfet利用能夠在設(shè)備之間存儲(chǔ)電荷的電容量來(lái)控制電流。此外，mosfet還可以在低電壓下工作，這可以使它在更多的應(yīng)用中起作用。
總之，mosfet是一種非常重要的電子元器件。通過(guò)了解mosfet的結(jié)構(gòu)、工作原理、類(lèi)型、應(yīng)用和特點(diǎn)，我們可以更好地理解它在電子設(shè)備中起到的重要作用。