flash的全稱是flash eeprom，但跟常規(guī)eeprom的操作方法不同。
flash 和eeprom的最大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設(shè)計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有 flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
至于那個“總工”說的話如果不是張一刀記錯了的話，那是連基本概念都不對，只能說那個“總工”不但根本不懂芯片設(shè)計，就連mcu系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)都沒掌握。在芯片的內(nèi)電路中，flash和eeprom不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結(jié)構(gòu)還是哈佛結(jié)構(gòu)都是這樣。技術(shù)上，程序存儲器和非易失數(shù)據(jù)存儲器都可以只用falsh結(jié)構(gòu)或eeprom結(jié)構(gòu)，甚至可以用“變通”的技術(shù)手段在程序存儲區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲區(qū)”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
沒有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ骶瘢緹o法成為真正的技術(shù)高手。
eeprom：電可擦除可編程只讀存儲器，flash的操作特性完全符合eeprom的定義，屬eeprom無疑，首款flash推出時其數(shù)據(jù)手冊上也清楚的標(biāo)明是eeprom，現(xiàn)在的多數(shù)flash手冊上也是這么標(biāo)明的，二者的關(guān)系是“白馬”和“馬”。至于為什么業(yè)界要區(qū)分二者，主要的原因是 flash eeprom的操作方法和傳統(tǒng)eeprom截然不同，次要的原因是為了語言的簡練，非正式文件和口語中flash eeprom就簡稱為flash，這里要強(qiáng)調(diào)的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區(qū)別flash和傳統(tǒng)eeprom。
flash的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數(shù)據(jù)量下的操作速度更快，但缺點(diǎn)是操作過程麻煩，特別是在小數(shù)據(jù)量反復(fù)重寫時，所以在mcu中flash結(jié)構(gòu)適于不需頻繁改寫的程序存儲器。
在很多應(yīng)用中，需要頻繁的改寫某些小量數(shù)據(jù)且需掉電非易失，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的eeprom在此非常適合，所以很多mcu內(nèi)部設(shè)計了兩種eeprom結(jié)構(gòu)，flash的和傳統(tǒng)的以期獲得成本和功能的均衡，這極大的方便了使用者。隨著isp、iap的流行，特別是在程序存儲地址空間和數(shù)據(jù)存儲地址空間重疊的mcu系中，現(xiàn)在越來越多的mcu生產(chǎn)商用支持iap的程序存儲器來模擬eeprom對應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲器，這是低成本下實(shí)現(xiàn)非易失數(shù)據(jù)存儲器的一種變通方法。為在商業(yè)宣傳上取得和雙eeprom工藝的“等效”性，不少采用flash程序存儲器“模擬”(注意，技術(shù)概念上并非真正的模擬)eeprom數(shù)據(jù)存儲器的廠家紛紛宣稱其產(chǎn)品是帶eeprom的，嚴(yán)格說，這是非常不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?，但商人有商人的目的和方法，用flash“模擬”eeprom可以獲取更大商業(yè)利益，所以在事實(shí)上，技術(shù)概念混淆的始作俑者正是他們。
從成本上講，用flash“模擬”eeprom是合算的，反之不會有人干，那么那位“總工”和樓上某網(wǎng)友所說的用eeprom模擬flash是怎么回事呢?這可能出在某些程序存儲空間和數(shù)據(jù)存儲空間連續(xù)的mcu上。這類mcu中特別是存儲容量不大的低端mcu依然采用eeprom作為非易失存儲器，這在成本上反而比采用flash和傳統(tǒng)eeprom雙工藝的設(shè)計更低，但這種現(xiàn)象僅僅限于小容量前提下。因flash工藝的流行，現(xiàn)在很多商人和不夠嚴(yán)謹(jǐn)?shù)募夹g(shù)人員將程序存儲器稱為flash，對于那些僅采用傳統(tǒng)eeprom工藝的mcu而言，他們不求甚解，故而錯誤的將eeprom程序存儲器稱為“ 模擬flash”，根本的原因是他們未理解flash只是一種存儲器結(jié)構(gòu)而非存儲器的用途，錯誤的前提自然導(dǎo)致錯誤的結(jié)論。商業(yè)上講，用eeprom模擬 flash是不會有人真去做的愚蠢行為，這違背商業(yè)追求最大利益的原則，技術(shù)上也不可行，而對于技術(shù)人員而言，尤其是ic業(yè)內(nèi)的“總工”如果再這么講那只能說明他或她要么根本不了解相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)，要么非常不嚴(yán)謹(jǐn)，這都不符合“總工”的身份。本質(zhì)的問題是flash是一種存儲器類型而非mcu中的程序存儲器，即使mcu的程序存儲器用的是flash，但其逆命題不成立。
在此寫此文，一方面是要澄清技術(shù)概念，另一方面更是不想令錯誤的說法誤人子弟，搞技術(shù)也需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)精神。
28系列是最早的eeprom，28f則是最早的flash，甚至flash一詞是intel在1980s為推廣其28f系列起的“廣告名”，取其意“快”，僅此而已。當(dāng)年的flash不比傳統(tǒng)eeprom容量更大只是容量起點(diǎn)稍高。至于現(xiàn)在的手冊中有無eeprom字樣并不重要，非要“較枝”的話，看看內(nèi)容有無“電可擦除”存儲器的說法，至少我隨手打開sst的flash手冊上都寫的很清楚，不過這些根本就是無意義的皮毛，典型的白馬非馬論。
至于avr的地址連續(xù)問題是我隨手之誤，應(yīng)指68hc系列，但即使如此，就算我沒有用過包括avr在內(nèi)的任何mcu也跟flash的性質(zhì)毫無關(guān)系。