關(guān)于老化測(cè)試噴淋和冷凝用水要求，為保證在滿足astm g151 ,astm g154，astm g155以及iso 4892等標(biāo)準(zhǔn)要求的前提下，為避免老化試驗(yàn)箱中的樣品表面產(chǎn)生水垢。我們綜合水提純領(lǐng)域的專家意見。
有什么不同呢?首先，我們統(tǒng)一了所有老化試驗(yàn)箱的用水要求，除了以下三個(gè)型號(hào)(quv/spray，quv 無噴淋型和q-fog crh)，具體要求見下表
試驗(yàn)箱型號(hào) 電阻率(ω-cm) 導(dǎo)電性(μs/cm) 總?cè)芙夤腆w (ppm) 膠態(tài)二氧化硅(ppm) ph
quv/basic, se 和 cw紫外老化試驗(yàn)箱 常規(guī)水即可
q-sun spray 紫外老化試驗(yàn)箱和 q-fog crh 鹽霧試驗(yàn)箱 > 5m < 0.2 < 0.1 < 0.1 6-8
其他型號(hào)設(shè)備 > 200k < 5 < 2.5 not specified 6-8
其次，我們了解到，在帶有水噴淋功能的氙燈試驗(yàn)箱中，為防止試樣上出現(xiàn)水斑，除了采用去離子水外，還需要一個(gè)反滲透系統(tǒng)。
規(guī)格變化您會(huì)發(fā)現(xiàn)有的要求變得更加嚴(yán)格了，而另外一些則相對(duì)放松了要求。
q-sun xe-3-h過去要求水的電阻率大于500kω-cm，研究表明該條件高于必要。
q-fog ssp鹽霧試驗(yàn)箱、q-fog cct鹽霧試驗(yàn)箱以及q-sun xe-2過去要求水的電阻大于50kω，而研究表明，這在防止礦物質(zhì)結(jié)垢堆積方面是不夠的。此外，多數(shù)鹽霧測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)要求純水電阻>200kω-cm。而且達(dá)到200kω的水純度并不會(huì)更難或增加額外的開支，使用反滲透或去離子裝置可很簡(jiǎn)便的達(dá)到純度要求。
現(xiàn)在，我們建議q-sun氙燈試驗(yàn)箱進(jìn)行噴淋時(shí)采用ro/di(反滲透/去離子)水
注：q-lab 為quv/spray紫外老化試驗(yàn)箱和帶水噴淋的q-sun氙燈試驗(yàn)箱配備了水再凈化系統(tǒng)，但該系統(tǒng)不能替代ro/di系統(tǒng)使用。
原有凈化系統(tǒng)存在的主要問題是：首先，隨著時(shí)間的推移，原有凈水系統(tǒng)在去除水中的膠狀二氧化硅效率變得越來越低。這可能導(dǎo)致快速形成水垢，正如我們常在實(shí)驗(yàn)室中看到的那樣。相比之下，反滲透系統(tǒng)能夠在相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定的運(yùn)行，而不會(huì)把二氧化硅回放到水中。
其次，原有處理系統(tǒng)只有在處理礦物質(zhì)含量較低的水時(shí)才具有較高的經(jīng)濟(jì)性，大部分擁有地表水源的城市都屬于這種情況，比如克利夫蘭。 然而，如果水源來自于地下水，比如亞利桑那，鳳凰城的情況，此類地下水礦物質(zhì)含量比較高，使用反滲透處理方式則擁有更高的經(jīng)濟(jì)性，主要注意的是單純采用反滲透并不能滿足大于500kω-cm的純度，還需要對(duì)水做去離子處理，以滿足純度要求。
結(jié)論值得注意的是，并非所有出現(xiàn)在試樣表面的二氧化硅斑點(diǎn)都是由于水中的雜質(zhì)構(gòu)成的。也有可能是由于材料降解而產(chǎn)生的。除在q-sun氙燈試驗(yàn)箱之外，這些斑點(diǎn)也有可能在自然老化過程中產(chǎn)生。如果您對(duì)于老化測(cè)試用水純度還有其他更多需要了解信息，歡迎聯(lián)系q-lab中國(guó)代理——翁開爾公司。