1、bjt高頻小信號模型的提出：
根據bjt的特性方程，推導出的h參數低頻小信號模型在高頻運用的情況下，其物理過程有些差異，主要表現在bjt的極間電容不可忽略。為此，我們從bjt的物理機構出發(fā)加以分析，再用電阻、電容、電感等電路元件來模擬其物理過程，從而得出bjt的高頻小信號模型，如圖1所示。現就此模型中的各個元件參數作一簡要的說明。
2、bjt的高頻小信號模型：
在圖示的bjt的高頻小信號模型中
圖1 bjt的高頻小信號模型
rbb¢ ——基區(qū)體電阻。
rb¢e ——發(fā)射結的小信號電阻，由于發(fā)射結正偏，rb¢e很小。
cb¢e ——發(fā)射結電容。
rb¢c ——集電結反偏小信號電阻（圖中未畫出）。
cb¢c——集電結電容。
——受控電流源 ，它受 所控制。gm稱為互導，定義為 。
rce ——受控電流源的電阻（圖中未畫出）。
在高頻情況下，rb¢c 的數值很大，可以忽略不計； 一般 ，因此，rce也略去。