1，手機(jī)的閃存是什么2，手機(jī)閃存是什么意思3，閃存是什么有什么作用4，閃存是什么概念啊5，電腦里的閃存一詞是什么意思有什么用途謝謝1，手機(jī)的閃存是什么
手機(jī)的閃存與u盤(pán)的flash和ssd里面的emmc是一樣的材料，速度也有很大的區(qū)別，而手機(jī)的閃存材料也跟隨著科技而進(jìn)步的，所以就出現(xiàn)了華為的閃存門(mén)的事件了。就是手機(jī)除內(nèi)存卡外，本身可以儲(chǔ)存東西的容量，是不能改的
2，手機(jī)閃存是什么意思
手機(jī)閃存就是可以用來(lái)記錄數(shù)據(jù)的空間，關(guān)機(jī)后也不會(huì)丟失。 你安裝軟件等都會(huì)占用閃存。 ram是可讀存儲(chǔ)器。即是指內(nèi)存。是隨著手機(jī)運(yùn)行程序即時(shí)的進(jìn)行擦寫(xiě)的。關(guān)機(jī)后數(shù)據(jù)不會(huì)保存。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是內(nèi)存卡，只不過(guò)原裝就內(nèi)置在手機(jī)里面的，比如64g水果手機(jī)，那個(gè)64g就是閃存。閃存速度比外置的內(nèi)存卡快太多了，而且不容易出故障。缺點(diǎn)當(dāng)然是文件資料手機(jī)壞了就取不出來(lái)了。
3，閃存是什么有什么作用
內(nèi)存，內(nèi)部存儲(chǔ)器，主要是指ram，cmos也是內(nèi)存一種。特點(diǎn)是速度快，缺點(diǎn)是需要電來(lái)維持，斷電就會(huì)丟失所記錄的信息。
外存，外部存儲(chǔ)器，只要指各種驅(qū)動(dòng)器磁盤(pán)。軟盤(pán)光盤(pán)硬盤(pán)u盤(pán)等。缺點(diǎn)是速度慢，但可以不需要電力來(lái)維持，因此可以方便攜帶。軟盤(pán)是早期電腦信息傳播的主要途徑。
閃存屬于新式存儲(chǔ)器，用來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)磁盤(pán)來(lái)攜帶傳遞信息，體積小容量大速度快，不需要電力來(lái)維持保存的信息。主要用于各種數(shù)碼設(shè)備，數(shù)碼相機(jī)mp3播放器u盤(pán)手機(jī)掌上游戲機(jī)（如psp）等。
4，閃存是什么概念啊
閃存(flash memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256kb到20mb。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（eeprom）的變種，eeprom與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比eeprom的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的bios（基本輸入輸出程序）、pda（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像ram（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）一樣以字節(jié)為單位改寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此不能取代ram。
5，電腦里的閃存一詞是什么意思有什么用途謝謝
閃存 目前主板上的bios大多使用flash memory制造，翻譯成中文就是閃動(dòng)的存儲(chǔ)器，通常把它稱作快閃存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱閃存。閃存盤(pán)是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，可用于存儲(chǔ)任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶，是個(gè)人的“數(shù)據(jù)移動(dòng)中心”。閃存盤(pán)采用閃存存儲(chǔ)介質(zhì)（flash memory）和通用串行總線（usb）接口，具有輕巧精致、使用方便、便于攜帶、容量較大、安全可靠、時(shí)尚潮流等特征，是大家理想的便攜存儲(chǔ)工具. 我們常說(shuō)的閃存其實(shí)只是一個(gè)籠統(tǒng)的稱呼，準(zhǔn)確地說(shuō)它是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(nvram)的俗稱，特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為dram和sram兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存主要指dram，也就是我們熟悉的ddr、ddr2、sdr、edo等等。閃存也有不同類型，其中主要分為nor型和nand型兩大類。閃存的分類 nor型與nand型閃存的區(qū)別很大，打個(gè)比方說(shuō)，nor型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價(jià)格比較貴，容量比較小；而nand型更像硬盤(pán)，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的i/o線，類似硬盤(pán)的所有信息都通過(guò)一條硬盤(pán)線傳送一般，而且nand型與nor型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，nor型閃存比較適合頻繁隨機(jī)讀寫(xiě)的場(chǎng)合，通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，手機(jī)就是使用nor型閃存的大戶，所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大；nand型閃存主要用來(lái)存儲(chǔ)資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤(pán)、數(shù)碼存儲(chǔ)卡都是用nand型閃存。 這里我們還需要端正一個(gè)概念，那就是閃存的速度其實(shí)很有限，它本身操作速度、頻率就比內(nèi)存低得多，而且nand型閃存類似硬盤(pán)的操作方式效率也比內(nèi)存的直接訪問(wèn)方式慢得多。因此，不要以為閃存盤(pán)的性能瓶頸是在接口，甚至想當(dāng)然地認(rèn)為閃存盤(pán)采用usb2.0接口之后會(huì)獲得巨大的性能提升。 前面提到nand型閃存的操作方式效率低，這和它的架構(gòu)設(shè)計(jì)和接口設(shè)計(jì)有關(guān)，它操作起來(lái)確實(shí)挺像硬盤(pán)(其實(shí)nand型閃存在設(shè)計(jì)之初確實(shí)考慮了與硬盤(pán)的兼容性)，它的性能特點(diǎn)也很像硬盤(pán)：小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲(chǔ)介質(zhì)大的多。這種性能特點(diǎn)非常值得我們留意。nand型閃存的技術(shù)特點(diǎn) 內(nèi)存和nor型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而nand型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(page)(可以看到，nand型閃存的頁(yè)就類似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512字節(jié))。每一頁(yè)的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“(512+16)byte”的表示方式。目前2gb以下容量的nand型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁(yè)面容量，2gb以上容量的nand型閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。 nand型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫(xiě)入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個(gè)塊包含32個(gè)512字節(jié)的頁(yè)，容量16kb；而大容量閃存采用2kb頁(yè)時(shí)，則每個(gè)塊包含64個(gè)頁(yè)，容量128kb。 每顆nand型閃存的i/o接口一般是8條，每條數(shù)據(jù)線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說(shuō)的512字節(jié)。但較大容量的nand型閃存也越來(lái)越多地采用16條i/o線的設(shè)計(jì)，如三星編號(hào)k9k1g16u0a的芯片就是64m×16bit的nand型閃存，容量1gb，基本數(shù)據(jù)單位是(256+8)×16bit，還是512字節(jié)。 尋址時(shí)，nand型閃存通過(guò)8條i/o接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔?，每包傳?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個(gè)頁(yè)，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，占用若干個(gè)時(shí)鐘周期。nand的地址信息包括列地址(頁(yè)面中的起始操作地址)、塊地址和相應(yīng)的頁(yè)面地址，傳送時(shí)分別分組，至少需要三次，占用三個(gè)周期。隨著容量的增大，地址信息會(huì)更多，需要占用更多的時(shí)鐘周期傳輸，因此nand型閃存的一個(gè)重要特點(diǎn)就是容量越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。而且，由于傳送地址周期比其他存儲(chǔ)介質(zhì)長(zhǎng)，因此nand型閃存比其他存儲(chǔ)介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫(xiě)請(qǐng)求。決定nand型閃存的因素有哪些？1．頁(yè)數(shù)量 前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁(yè)越多、頁(yè)越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。但這個(gè)時(shí)間的延長(zhǎng)不是線性關(guān)系，而是一個(gè)一個(gè)的臺(tái)階變化的。譬如128、256mb的芯片需要3個(gè)周期傳送地址信號(hào)，512mb、1gb的需要4個(gè)周期，而2、4gb的需要5個(gè)周期。2．頁(yè)容量 每一頁(yè)的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁(yè)有更好的性能。前面提到大容量閃存(4gb)提高了頁(yè)的容量，從512字節(jié)提高到2kb。頁(yè)容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說(shuō)明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m為例，前者為1gb，512字節(jié)頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間12μs，寫(xiě)時(shí)間為200μs；后者為4gb，2kb頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間25μs，寫(xiě)時(shí)間為300μs。假設(shè)它們工作在20mhz。 讀取性能：nand型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁(yè)面寄存器(隨機(jī)讀穩(wěn)定時(shí)間)→數(shù)據(jù)傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m讀一個(gè)頁(yè)需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；k9k1g08u0m實(shí)際讀傳輸率：512字節(jié)÷38.7μs=13.2mb/s；k9k4g08u0m讀一個(gè)頁(yè)需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+25μs+(2k+64)×50ns=131.1μs；k9k4g08u0m實(shí)際讀傳輸率：2kb字節(jié)÷131.1μs=15.6mb/s。因此，采用2kb頁(yè)容量比512字節(jié)也容量約提高讀性能20%。 寫(xiě)入性能：nand型閃存的寫(xiě)步驟分為：發(fā)送尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁(yè)面寄存器→發(fā)送命令信息→數(shù)據(jù)從寄存器寫(xiě)入頁(yè)面。其中命令周期也是一個(gè)，我們下面將其和尋址周期合并，但這兩個(gè)部分并非連續(xù)的。 k9k1g08u0m寫(xiě)一個(gè)頁(yè)需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。k9k1g08u0m實(shí)際寫(xiě)傳輸率：512字節(jié)÷226.7μs=2.2mb/s。k9k4g08u0m寫(xiě)一個(gè)頁(yè)需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+(2k+64)×50ns+300μs=405.9μs。k9k4g08u0m實(shí)際寫(xiě)傳輸率：2112字節(jié)/405.9μs=5mb/s。因此，采用2kb頁(yè)容量比512字節(jié)頁(yè)容量提高寫(xiě)性能兩倍以上。3．塊容量 塊是擦除操作的基本單位，由于每個(gè)塊的擦除時(shí)間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的時(shí)間可以忽略不計(jì))，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量nand型閃存的頁(yè)容量提高，而每個(gè)塊的頁(yè)數(shù)量也有所提高，一般4gb芯片的塊容量為2kb×64個(gè)頁(yè)=128kb，1gb芯片的為512字節(jié)×32個(gè)頁(yè)=16kb。可以看出，在相同時(shí)間之內(nèi)，前者的擦速度為后者8倍！4．i/o位寬 以往nand型閃存的數(shù)據(jù)線一般為8條，不過(guò)從256mb產(chǎn)品開(kāi)始，就有16條數(shù)據(jù)線的產(chǎn)品