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1999年，東芝180nm制造了容量為256mb的閃存。2015年，在15nm工藝下，閃存單個管芯的容量增加了64倍，達(dá)到16gb。與晶體管數(shù)量每18-24個月翻一番的摩爾定律相比，
閃存容量增長速度已經(jīng)落后。
在2014年的閃存峰會上，美光表示3d閃存可以讓閃存回歸摩爾定律，但現(xiàn)在基本上已經(jīng)失效：閃存并沒有因為3d工藝的應(yīng)用而大幅降價，反而掀起了一波漲價潮。
其實遇到問題的不僅僅是nand閃存，同樣遇到技術(shù)瓶頸的還有dram存儲器。各大原廠的更新進(jìn)程進(jìn)度普遍低于預(yù)期，各種拖延已成家常便飯。
英特爾已經(jīng)在14nm工藝節(jié)點停留了三代，一直處于修修補補的狀態(tài)，拿出10nm芯片也比較慢。平板閃存方面，東芝已經(jīng)發(fā)展到15nm工藝，sk海力士是14nm，和當(dāng)代cpu工藝基本一致。
更先進(jìn)的工藝(10nm~3nm)需要euv極紫外光刻的支持，euv技術(shù)花了很多年，直到現(xiàn)在才剛剛達(dá)到實驗室條件下適合量產(chǎn)的水平。雖然使用euv平版印刷術(shù)的新設(shè)備很昂貴，
工作狀態(tài)消耗的電能是目前氬氟激光器的10倍以上。由于euv光刻術(shù)的能量轉(zhuǎn)換效率僅為約0.02%，所以輸出為250瓦的euv掩模對準(zhǔn)器每天將消耗30，000千瓦時。對于euv平版印刷術(shù)，
tsmc已經(jīng)表示希望在未來，越少使用工藝技術(shù)越好，因為它太貴了！
既然工藝升級空間小，那么2d到3d的轉(zhuǎn)換效果如何？在2d閃存時代，通過工藝升級可以實現(xiàn)近似指數(shù)增長，而在3d時代，只會有線性增長，因為原則上3d是垂直堆疊。
而不是2d閃存工藝升級時長度、寬度、尺寸的同步進(jìn)步。3d閃存確實是未來的發(fā)展方向，但不是萬能的。
無論如何，3d技術(shù)在工藝小型化的情況下，還是可以做一些成本上的提升，尤其是超過64層的3d堆疊閃存：東芝在2007年首次公布了3d閃存，而今年大規(guī)模投入使用的正是64層堆疊技術(shù)。
除了將原有的fab 2和fab 5升級為3d技術(shù)，東芝還計劃新建fab 6:新工廠從一開始就以3d閃存制造為目標(biāo)。
除了3d堆疊，qlc才是未來真正能降低閃存價格的方向：東芝的64層堆疊bics gen 3閃存量產(chǎn)并很快宣布96層bics 4閃存和3d qlc技術(shù)。
相比3d堆疊，qlc其實更可靠的是降低成本，前提是有優(yōu)秀的技術(shù)解決壽命問題：作為閃存的發(fā)明者，東芝是第一個宣布qlc的。
借助更高的堆疊層數(shù)和qlc每個存儲單元額外的1-1位存儲容量，東芝可以將當(dāng)前最大閃存容量從512gb增加到768gb。如果使用16管芯封裝，
單個閃存粒子可以有1.5tb的存儲容量！東芝還承諾，3d qlc將提供1000次以上的擦除壽命，幾乎相當(dāng)于現(xiàn)在的tlc閃存，不會讓你等太久：明年晚些時候就會出現(xiàn)。
有些玩家可能還會想到intel和美光聯(lián)合開發(fā)的3d xpoint，但它主要是針對高性能領(lǐng)域的，可能會被還不錯的企業(yè)級應(yīng)用使用，而在消費級大容量固態(tài)硬盤中，
大家都看到了，英特爾16g驍龍內(nèi)存(閃存盤)的失敗，對降低價格毫無幫助。