1．mos控制晶閘管（mct）
mos控制晶閘管（mct）的靜態(tài)特性與晶閘管相似，由于它的輸入端由mos管控制，mct屬場控型器件,其開關速度快，驅動電路比gto的驅動電路要簡單；mct的輸出端為晶閘管結構，其通態(tài)壓降較低，與scr相當，比igbt和gtr都要低。
mct出現(xiàn)于20世紀80年代，開始發(fā)展很快，但其結構和制造工藝比較復雜，成品率不高，由于這些關鍵技術問題沒有得到很好的解決，目前mct沒能投入實際使用。mct的結構類似于igbt，是一種復合型大功率器件，它將p-mosfet的高輸入阻抗、低驅動功率及快開關速度和晶閘管的高電壓、大電流、低導通壓降的特點結合起來。其等值電路和符號如圖1所示。
2．集成門極換流晶閘管（igct）
集成門極換流晶閘管（igct）于20世紀90年代開始出現(xiàn)。igct的結構是將gto芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅動電路集成在一起，再將其門極驅動器在外部以低電感方式連接成環(huán)狀的門電極。igct具有大電流、高電壓、高開關頻率（比gto高10倍）、結構緊湊、可靠性好、損耗低、制造成品率高等特點。目前，igct已在電力系統(tǒng)中得到應用，以后有可能取代gto在大功率場合應用的地位。
a） mct等值電路 b） 符號
圖1 mct等值電路及符號