1，目前固態(tài)硬盤有哪幾種類型2，怎么區(qū)分ssd和普通hhd硬盤3，什么是ssdssd和硬盤有什么區(qū)別4，如何分別固態(tài)硬盤和普通硬盤5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么1，目前固態(tài)硬盤有哪幾種類型
目前主要是nada閃存的固態(tài)硬盤
早先還有混合型的固態(tài)硬盤：傳統(tǒng)盤片+部分閃存，現(xiàn)在已經(jīng)基本退市
2，怎么區(qū)分ssd和普通hhd硬盤
ssd固態(tài)硬盤價(jià)格更高，容量相對(duì)普通硬盤要低，相同容量的ssd比hdd的要貴一倍不止，但是讀取速度要比hdd的快，抗震性能強(qiáng)，而且體積比hdd硬盤要小，發(fā)熱量也要小的多，節(jié)能省電也是ssd的優(yōu)勢(shì)。
3，什么是ssdssd和硬盤有什么區(qū)別
ssd是硬盤，只是現(xiàn)在硬盤基本上分為機(jī)械和固態(tài)硬盤，而ssd就是固態(tài)硬盤。固態(tài)硬盤因?yàn)榇鎯?chǔ)單元非機(jī)械利用馬達(dá)尋址，所以不怕摔，。另外讀取速度超過機(jī)械太多。那個(gè)是固態(tài)硬盤 具有耗電小 無噪音 性能好 價(jià)格貴等特點(diǎn) 普通硬盤 也叫 溫切斯特硬盤 里面有磁頭 和 盤片 有噪音 性能沒有固態(tài)好 但是價(jià)格便宜
4，如何分別固態(tài)硬盤和普通硬盤
固態(tài)硬盤的接口跟普通串口機(jī)械硬盤的接口是完全一樣的，都是用串口線連接在主板的串口上，所不同的是，機(jī)械硬盤是3.5英寸大小，固態(tài)硬盤一般是2.5英寸大小的，跟筆記本硬盤一樣大，所以，臺(tái)式機(jī)用的話，要加裝一個(gè)專用的托架，這個(gè)東西買固態(tài)硬盤的時(shí)候一般都會(huì)帶的。如果你的臺(tái)式機(jī)上面同時(shí)使用固態(tài)硬盤和機(jī)械硬盤，一般是固態(tài)硬盤做系統(tǒng)盤，機(jī)械硬盤做數(shù)據(jù)盤，那就建議把固態(tài)硬盤插在主板的sata0接口上，機(jī)械硬盤插在后面的sats接口上，希望對(duì)你有所幫助。1、固用磁化盤片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。2、固態(tài)硬盤體積更小，更輕巧。3、固態(tài)硬盤因?yàn)槭切酒x寫，效率比普通硬盤的機(jī)械師旋轉(zhuǎn)更快（開機(jī)你就看得出來，裝在固態(tài)硬盤上的win7在10秒內(nèi)就可以啟動(dòng)完成，普通機(jī)械硬盤至少40多秒甚至更多），更節(jié)能4、固態(tài)硬盤目前單位容量價(jià)格比機(jī)械硬盤高，現(xiàn)在1t的機(jī)械硬盤幾百塊可以買，1t固態(tài)硬盤至少5000元以上。5、固態(tài)硬盤維護(hù)比普通機(jī)械硬盤簡單，比如固態(tài)硬盤不需要做磁盤碎片整理，但是機(jī)械硬盤應(yīng)該定期做這個(gè)操作。6、普通機(jī)械硬盤是傳統(tǒng)電腦發(fā)展的瓶頸，固態(tài)硬盤是將來的存儲(chǔ)趨勢(shì)，必定替代機(jī)械硬盤。這東西一看就看出來了,還用區(qū)分嗎? 電視和洗衣機(jī)還用區(qū)分嗎....
5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么
構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，slc、mlc和tlc三者都是閃存的類型。1、slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命。2、mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000—10000次擦寫壽命。3、tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，有不少人認(rèn)為單純看主控就可以知道ssd的性能，其實(shí)這是錯(cuò)誤的，就像某些廠商的產(chǎn)品線那樣，用的都是sandforce sf-2281主控，但是通過不同的閃存與固件搭配劃分出很多不同層次的產(chǎn)品，相互之間性能差異比較大，可見ssd所用的固件與閃存種類都是對(duì)其性能有相當(dāng)大影響的。tlc是閃存一種類型，全稱為triple-level cell tlc芯片技術(shù)是mlc和tlc技術(shù)的延伸。最早期nand flash技術(shù)架構(gòu)是slc(single-level cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到mlc(multi-level cell)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進(jìn)為1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元。slc、mlc、tlc閃存芯片的區(qū)別：slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。目前，安德旺科技生產(chǎn)的指紋u盤產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星mlc中的原裝a級(jí)芯片。讀寫速度：采用h2testw v1.4測(cè)試，三星mlc寫入速度: 4.28-5.59 mbyte/s，讀取速度: 12.2-12.9 mbyte/s。三星slc寫入速度: 8.5mbyte/s，讀取速度: 14.3mbyte/s。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。面是slc、mlc、tlc三代閃存的壽命差異slc 利用正、負(fù)兩種電荷 一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息，約10萬次擦寫壽命。mlc 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息，約一萬次擦寫壽命，slc-mlc【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。tlc 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，mlc-tlc【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。閃存產(chǎn)品壽命越來越短，現(xiàn)在市場(chǎng)上已經(jīng)有tlc閃存做的產(chǎn)品了鑒于slc和mlc或tlc閃存壽命差異太大強(qiáng)烈要求數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)商在其使用閃存的產(chǎn)品上標(biāo)明是slc和mlc或tlc閃存產(chǎn)品許多人對(duì)閃存的slc和mlc區(qū)分不清。就拿目前熱銷的mp3隨身聽來說，是買slc還是mlc閃存芯片的呢？在這里先告訴大家，如果你對(duì)容量要求不高，但是對(duì)機(jī)器質(zhì)量、數(shù)據(jù)的安全性、機(jī)器壽命等方面要求較高，那么slc閃存芯片的首選。但是大容量的slc閃存芯片成本要比mlc閃存芯片高很多，所以目前2g以上的大容量，低價(jià)格的mp3多是采用mlc閃存芯片。大容量、低價(jià)格的mlc閃存自然是受大家的青睞，但是其固有的缺點(diǎn)，也不得不讓我們考慮一番。什么是mlc？mlc英文全稱（multi level cell——mlc)即多層式儲(chǔ)存。主要由東芝、renesas、三星使用。英特爾（intel）在1997年9月最先開發(fā)成功mlc，其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)floatinggate（閃存存儲(chǔ)單元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（level）的電荷，通過內(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。mlc通過使用大量的電壓等級(jí)，每個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。slc架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而mlc架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此，mlc架構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度。與slc比較mlc的優(yōu)勢(shì)：簽于目前市場(chǎng)主要以slc和mlc儲(chǔ)存為主，我們多了解下slc和mlc儲(chǔ)存。slc架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而mlc架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此mlc架構(gòu)的儲(chǔ)存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢(shì)。與slc相比較，mlc生產(chǎn)成本較低，容量大。如果經(jīng)過改進(jìn)，mlc的讀寫性能應(yīng)該還可以進(jìn)一步提升。與slc比較mlc的缺點(diǎn)：mlc架構(gòu)有許多缺點(diǎn)，首先是使用壽命較短，slc架構(gòu)可以寫入10萬次，而mlc架構(gòu)只能承受約1萬次的寫入。其次就是存取速度慢，在目前技術(shù)條件下，mlc芯片理論速度只能達(dá)到6mb左右。slc架構(gòu)比mlc架構(gòu)要快速三倍以上。再者，mlc能耗比slc高，在相同使用條件下比slc要多15%左右的電流消耗。雖然與slc相比，mlc缺點(diǎn)很多，但在單顆芯片容量方面，目前mlc還是占了絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。由于mlc架構(gòu)和成本都具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，能滿足2gb、4gb、8gb甚至更大容量的市場(chǎng)需求。slc，mlc和tlc三者的區(qū)別如下：slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命。mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命。tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。1、與slc比較mlc的優(yōu)勢(shì)：簽于目前市場(chǎng)主要以slc和mlc儲(chǔ)存為主，我們多了解下slc和mlc儲(chǔ)存。slc架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而mlc架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此mlc架構(gòu)的儲(chǔ)存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢(shì)。與slc相比較，mlc生產(chǎn)成本較低，容量大。如果經(jīng)過改進(jìn)，mlc的讀寫性能應(yīng)該還可以進(jìn)一步提升。2、與slc比較mlc的缺點(diǎn)：mlc架構(gòu)有許多缺點(diǎn)，首先是使用壽命較短，slc架構(gòu)可以寫入10萬次，而mlc架構(gòu)只能承受約1萬次的寫入。其次就是存取速度慢，在目前技術(shù)條件下，mlc芯片理論速度只能達(dá)到6mb左右。slc架構(gòu)比mlc架構(gòu)要快速三倍以上。再者，mlc能耗比slc高，在相同使用條件下比slc要多15%左右的電流消耗。雖然與slc相比，mlc缺點(diǎn)很多，但在單顆芯片容量方面，目前mlc還是占了絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。由于mlc架構(gòu)和成本都具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，能滿足2gb、4gb