kemet鉭電容的鉭芯表面都會覆蓋著一層五氧化二鉭薄膜的電介質(zhì)，這層人質(zhì)是采用陽極化工藝，由厚5nm~10nm的n型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導體層復合而成。其厚度與陽極化電壓成比例，也是決定了kemet鉭電容耐壓值的大小。一般來說用于6v電池應用的kemet鉭電容而言，鉭電容的五氧化二鉭薄膜層厚度為0.04微米或者40納米。
超大容量的片式多層陶瓷電容器則采用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質(zhì)薄層的方式來制造，這樣比鉭電容的要厚得多。片式多層陶瓷電容器采用層疊工藝，最終制造出多層電容。與鉭電容一樣，片式多層陶瓷電容器的電介質(zhì)層厚度決定了額定電壓，電介質(zhì)層數(shù)決定了容量。介電常數(shù)的差異導致了ir的巨大差別。
kemet鉭電容的漏電流會因為正極表面的機械損壞或者氧化層表面的破裂而上升。正極的外表面屬于易損部分，受到熱、機械和電氣作用的共同影響。表面漏電流會受濕度的影響，并導致長時間工作的不穩(wěn)定。
改進鉭芯的生產(chǎn)工藝，更好地控制氧化物層的厚度，可以幫助消除鉭電容表面漏電流問題。在鉭芯的外表面生成較厚的電介質(zhì)薄膜，防止其受到機械損壞，從而大幅改善漏電流性能，降低漏電流.除了改進鉭電容的正極結(jié)構(gòu)，與聚合物負極結(jié)構(gòu)相比，鉭電容的二氧化錳負極結(jié)構(gòu)具有更為優(yōu)異的漏電流性能，因該材料有更好的導電性。