kemet鉭電容的鉭芯表面都會(huì)覆蓋著一層五氧化二鉭薄膜的電介質(zhì)，這層人質(zhì)是采用陽(yáng)極化工藝，由厚5nm~10nm的n型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導(dǎo)體層復(fù)合而成。其厚度與陽(yáng)極化電壓成比例，也是決定了kemet鉭電容耐壓值的大小。一般來(lái)說(shuō)用于6v電池應(yīng)用的kemet鉭電容而言，鉭電容的五氧化二鉭薄膜層厚度為0.04微米或者40納米。
超大容量的片式多層陶瓷電容器則采用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質(zhì)薄層的方式來(lái)制造，這樣比鉭電容的要厚得多。片式多層陶瓷電容器采用層疊工藝，最終制造出多層電容。與鉭電容一樣，片式多層陶瓷電容器的電介質(zhì)層厚度決定了額定電壓，電介質(zhì)層數(shù)決定了容量。介電常數(shù)的差異導(dǎo)致了ir的巨大差別。
kemet鉭電容的漏電流會(huì)因?yàn)檎龢O表面的機(jī)械損壞或者氧化層表面的破裂而上升。正極的外表面屬于易損部分，受到熱、機(jī)械和電氣作用的共同影響。表面漏電流會(huì)受濕度的影響，并導(dǎo)致長(zhǎng)時(shí)間工作的不穩(wěn)定。
改進(jìn)鉭芯的生產(chǎn)工藝，更好地控制氧化物層的厚度，可以幫助消除鉭電容表面漏電流問(wèn)題。在鉭芯的外表面生成較厚的電介質(zhì)薄膜，防止其受到機(jī)械損壞，從而大幅改善漏電流性能，降低漏電流.除了改進(jìn)鉭電容的正極結(jié)構(gòu)，與聚合物負(fù)極結(jié)構(gòu)相比，鉭電容的二氧化錳負(fù)極結(jié)構(gòu)具有更為優(yōu)異的漏電流性能，因該材料有更好的導(dǎo)電性。