電子器件所能承受靜電破壞的靜電電壓是多少，相信大家都不知道吧，下面我們就一起來(lái)看看吧。
以下是一些參考資料中給出的數(shù)據(jù)：
器件類型
靜電破壞電壓(v)
器件類型
靜電破壞電壓(v)
vmos
30～1800
op-amp
190～2500
m0sfet
100～200
jeft
140～1000
gaasfet
100～300
scl
680～1000
prom
100
sttl
300～2500
cmos
250～2000
dtl
380～7000
hmos
50～500
肖特基二極管
300～3000
e／dmos
200～1000
雙極型晶體管
380～7000
ecl
300～2500
石英壓電晶體
＜10000
從上表可見(jiàn)大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在干燥的環(huán)境中人活動(dòng)所產(chǎn)生的靜電可達(dá)幾千伏到幾萬(wàn)伏。
要想獲得某個(gè)元器件的所能能承受的靜電電壓要通過(guò)試驗(yàn)才能測(cè)得。按照國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，一般使用靜電放電敏感度測(cè)試儀：
電子元器件靜電敏感度的試驗(yàn)主要用ess-6008/ess-6002半導(dǎo)體靜電放電模擬試驗(yàn)器，而用電子元器件組裝成組件、整機(jī)的電子設(shè)備靜電試驗(yàn)則用ess-s3011a/ess-b3011a/ess-l1611a靜電放電模擬試驗(yàn)器來(lái)做試驗(yàn)。