半導(dǎo)體材料電阻檢測設(shè)備-日本napson便攜式電阻檢測儀ec-80p
產(chǎn)品特點只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換使用jog撥盤輕松設(shè)置測量條件連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻（電阻探頭：多可以使用2 + pn判斷探頭）測量規(guī)格測量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，dlc，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ito等）
硅基外延，離子與半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200ω? cm
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kω/ sq
（*所有探頭類型的總量程）
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至0.05ω-cm）
（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-??cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）