等離子體清洗機用于半導體晶片清洗工藝：
伴隨著半導體技術的持續(xù)發(fā)展壯大,對加工工藝的需求變得越來越高,尤其是對半導體芯片晶圓的工藝性能需求變得越來越嚴,其首要因素是晶圓表層的顆粒物和金屬材料殘渣玷污會嚴重的影響到電子元器件的產(chǎn)品質量和合格率,在現(xiàn)階段的集成電路芯片生產(chǎn)制造中,鑒于晶圓表層玷污難題,仍有50%之上的原材料被損耗掉。
在半導體芯片加工工藝中,基本上每工藝程序上都是需要來進行清潔,晶圓清潔產(chǎn)品質量的優(yōu)劣對電子元器件穩(wěn)定性有嚴重的的影響到。更是鑒于晶圓清潔是半導體工藝技術中最重要、最多的工藝程序,同一時間其工藝技術產(chǎn)品質量將可以直接影響到到電子元器件的合格率、穩(wěn)定性和安全性,因而世界各國各大企業(yè)、科學研究組織等對清潔工藝技術的科學研究一直在不停地來進行。等離子清洗機做為1種現(xiàn)代化的干試清潔技術工藝，具備環(huán)保節(jié)能等特性，伴隨著微電子技術行業(yè)領域的快速發(fā)展壯大，等離子清洗機也在半導體芯片的運用逐漸增多。
半導體中是需要某些有機化合物和無機化合物加入達成,此外,鑒于工藝技術一直在凈化處理室中由人的加入來進行,因而半導體芯片晶圓難以避免的被各類殘渣影響。依據(jù)污染物質的主要來源、特性等,大概可可分為顆粒物、有機化合物、金屬離子和金屬氧化物2大類。
1)等離子清洗機顆粒物
顆粒物主要是某些高聚物、導電銀膠和蝕刻加工殘渣等。這類污染物質一般首要依賴范德瓦爾斯的吸引粘附在晶圓表層,影響到電子元器件刻蝕工藝程序的幾何立體圖形的構成及電力學主要參數(shù)。這類污染物質的清除方式首要以物理上的或有機化學的方式對顆粒物來進行底切,逐步減少其與晶圓表層的觸碰范圍,最后將其清除。
2)等離子清洗機有機化合物
有機化合物殘渣的主要來源較為普遍,如人的肌膚脂肪油、微生物、機械潤滑油、真空脂、導電銀膠、清潔有機溶液等。這類污染物質一般在晶圓表層構成有機化合物塑料薄膜阻攔清潔液抵達晶圓表層,致使晶圓表層清潔不,導致金屬材料殘渣等污染物質在清潔過后仍完好的留存在晶圓表層。這類污染物質的清除通常在清潔工藝程序的第1步來進行,首要運用鹽酸和過氧化氫等方式來進行。