1.朗伯-比爾定律
dlas技術(shù)本質(zhì)上是一種光譜吸收技術(shù)，通過分析激光被氣體的選擇性吸收來獲得氣體的濃度。它與傳統(tǒng)紅外光譜吸收技術(shù)的不同之處在于，半導體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬。因此，dlas技術(shù)是一種高分辨率的光譜吸收技術(shù)，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（lambert-beer）定律表述式中，iv，0和iv 分別表示頻率v的激光入射時和經(jīng)過壓力p，濃度x和光程l的氣體后的光強；s（t）表示氣體吸收譜線的強度；線性函數(shù)g（v-v0）表征該吸收譜線的形狀。通常情況下氣體的吸收較小，可用式（4-2）來近似表達氣體的吸收。這些關(guān)系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。
2.光譜線的線強
氣體分子的吸收總是和分子內(nèi)部從低能態(tài)到高能態(tài)的能級躍遷相聯(lián)系的。線強s（t）反映了躍遷過程中受激吸收、受激輻射和自發(fā)輻射之間強度的凈效果，是吸收光譜譜線最基本的屬性，由能級間躍遷概率經(jīng)及處于上下能級的分子數(shù)目決定。分子在不同能級之間的分布受溫度的影響，因此光譜線的線強也與溫度相關(guān)。如果知道參考線強s（t0），其他溫度下的線強可以由下式求出式中，q（t）為分子的配分函數(shù)；h為普朗克常數(shù)；c為光速；k為波爾茲曼常數(shù)；en為下能級能量。各種氣體的吸收譜線的線強s（t0）可以查閱相關(guān)的光譜數(shù)據(jù)庫。