STM I-Z曲線

發(fā)布時間:2024-04-03
i(z)光譜學(xué)與lbh光譜學(xué)有關(guān),可用于提供有關(guān)表面的微觀功函數(shù)的z依賴性的信息。i(z)光譜學(xué)的下一個重要用途是測試stm筆尖質(zhì)量。stm中
的隧穿電流i t隨著樣本間距z為
我??exp(-2kz),
衰減常數(shù)由下式給出
2k = 2(2mu / h2)1/2。
u是平均功函數(shù)u av =(u s + u t)/ 2,其中u t和u s分別是功函數(shù)和樣本功函數(shù)。
在i(z)光譜學(xué)中,我們測量stm圖像每個像素處的隧道電流與樣品間距的關(guān)系。
對于u av = 1 ev,2k = 1.025 a -1 ev -1。尖銳的i(z)依賴性有助于確定吸頭質(zhì)量。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)可以確定,如果在z <3 a的情況下隧道電流u t下降至一半,則認(rèn)為該非常好;如果在z <10 a的情況下,則使用該可以在hopg上實(shí)現(xiàn)原子分辨率。
如果在z> 20 a的情況下發(fā)生此,則不應(yīng)使用該,而必須將其更換。
references
1 . g. binnig and h. rohrer: surf. sci. 126 (1983) 236. rep. prog. phys. 55, 1165-1240 (1992).
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