擴散電阻成像取決于使用與樣品表面直接接觸的導電原子力顯微鏡探針[1]。
在上施加電壓偏置，并通過恒定力模式下的采集形貌同時測量表面上位置的函數(shù)電流。
可以很容易地看出，假設(shè)表面的接觸電阻不會隨位置變化，對于給定的偏置，測得的電流將與所研究樣品的局部電阻率成比例。
擴展電阻成像還可以應用于具有復雜結(jié)構(gòu)的樣本，例如集成電路。
文獻[2]中對擴散阻力成像的現(xiàn)狀進行了綜述。
references
us pat. 4992728. j. vac. sci. techn. b, 20 (1), 471 (2002).