擴(kuò)散電阻成像取決于使用與樣品表面直接接觸的導(dǎo)電原子力顯微鏡探針[1]。
在上施加電壓偏置，并通過(guò)恒定力模式下的采集形貌同時(shí)測(cè)量表面上位置的函數(shù)電流。
可以很容易地看出，假設(shè)表面的接觸電阻不會(huì)隨位置變化，對(duì)于給定的偏置，測(cè)得的電流將與所研究樣品的局部電阻率成比例。
擴(kuò)展電阻成像還可以應(yīng)用于具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)的樣本，例如集成電路。
文獻(xiàn)[2]中對(duì)擴(kuò)散阻力成像的現(xiàn)狀進(jìn)行了綜述。
references
us pat. 4992728. j. vac. sci. techn. b, 20 (1), 471 (2002).