1，求大神推薦幾款ssd硬盤要slcflash芯片的謝謝了2，slc固態(tài)硬盤哪個牌子質(zhì)量比較好該買哪個牌子3，如何分別固態(tài)硬盤slc和mlc芯片型號4，slc ssd有哪些5，哪種ssd是slc mlc tlc1，求大神推薦幾款ssd硬盤要slcflash芯片的謝謝了
哥們根本沒必要，桌面級的都是mlc，你是不是覺得3000-1w次的寫入壽命太少?。磕悄憧梢再I容量大一些的，比如120g以上的，每天寫入60g計算，一年才用180多次~ 3000次夠你用多少年的~從你的提問來看你是標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)黨啊，桌面級的ssd全是flash芯片，至于那個dram類的ssd，普通用戶根本接觸不到這類商品你好！slc的ssd很少，就那么幾個牌子，沒什么好推薦的，看intel有沒有僅代表個人觀點(diǎn)，不喜勿噴，謝謝。
2，slc固態(tài)硬盤哪個牌子質(zhì)量比較好該買哪個牌子
便宜的，都不可靠。價格太低不可靠。并非所有的slc都好。就好像固態(tài)硬盤也有很多垃圾。slc的同容量，價格應(yīng)該是mlc的4倍以上。比如128的應(yīng)該是1200以上。但性能高不了4倍，而且如果是sata3接口，有帶寬限制，速度和mlc一樣。主要是壽命長而已。所以，如果你不打算花這么多錢的話，其實根本不值得。按閃存芯片的寫次數(shù)。一般情況下，slc型閃存芯片寫次數(shù)為10萬次，mlc型閃存芯片寫次數(shù)為1萬次。每次開啟windows即使不主動拷貝文件，都要對固態(tài)硬盤讀寫很多次，所以想想其實這東西也不是很耐用。
3，如何分別固態(tài)硬盤slc和mlc芯片型號
如果是民用級別，基本沒有slc的，基本都是mlc的，唯一例外三星840是tlc的。其實看價格都能看出來，slc特別貴。非要看閃存貼牌，只能上網(wǎng)找拆盤的圖，從外觀或使用是看不出來的。存儲單元的類型 slc的特點(diǎn)是成本高、容量小、速度快，而mlc的特點(diǎn)是容量大成本低，但是速度慢。mlc的每個單元是2bit的，相對slc來說整整多了一倍。不過，由于每個mlc存儲單元中存放的資料較多，結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，出錯的幾率會增加，必須進(jìn)行錯誤修正，這個動作導(dǎo)致其性能大幅落后于結(jié)構(gòu)簡單的slc閃存。此外，slc閃存的優(yōu)點(diǎn)是復(fù)寫次數(shù)高達(dá)100000次，比mlc閃存高10倍。此外，為了保證mlc的壽命，控制芯片都校驗和智能磨損平衡技術(shù)算法，使得每個存儲單元的寫入次數(shù)可以平均分?jǐn)?，達(dá)到100萬小時故障間隔時間(mtbf)。
4，slc ssd有哪些
目前已經(jīng)幾乎看不到了，除了服務(wù)器，高端用外，還有的一般都是二手diy用了，現(xiàn)在是mlc,tlc，到底這個成本便宜，方便大眾化。話說，現(xiàn)在能看到的slc，大部分都是n年前的產(chǎn)品了。太高端的買不起，就不說了。nand是目前閃存顆粒用的技術(shù)，ssd里面的存儲顆粒就是一顆顆nand flash（閃存）slc表示一種閃存顆粒的類型，區(qū)別是最小存儲單元可以存儲的數(shù)據(jù)位數(shù)量。如果最小存儲單元只區(qū)分2個電位（高低電位），等于只能存儲0或1，即1位（1bit）數(shù)據(jù)。這種類型的nand閃存就叫做slc。以此類推，還有mlc：最小存儲單元區(qū)分4個電位，即00，01，10，11。tlc：區(qū)分8個電位。同樣一個最小的存儲單元，區(qū)分的電位越多，存儲密度越大。假設(shè)一顆slc nand是1gb的話，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc會比后面的貴得多，容量也不容易做大。但slc好處是：區(qū)分的電位越多，每個電位間區(qū)別越小，讀寫速度越慢（難以識別和寫入），壽命也越短（損耗一點(diǎn)點(diǎn)就錯位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦寫次數(shù)更多。目前的情況是，slc一般用于企業(yè)級ssd，以及intel智能響應(yīng)技術(shù)的加速盤。mlc一般用于桌面級ssd。tlc的ssd因為技術(shù)和可靠性的原因幾乎還沒有。但tlc則已經(jīng)幾乎統(tǒng)治了u盤和存儲卡市場（因為價格戰(zhàn)太厲害，利潤太低，沒人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存儲卡，u盤和存儲卡存數(shù)據(jù)是很不可靠的哦。
5，哪種ssd是slc mlc tlc
除了主控芯片和緩存芯片以外，pcb板上其余的大部分位置都是nand flash閃存芯片了。nand flash閃存芯片又分為slc（單層單元）和mlc（多層單元）nand閃存： 1.slc全稱是單層式儲存 (single level cell），因為結(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的slc nand閃存可以經(jīng)受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅(qū)動，所以 英特爾固態(tài)硬盤(15張) 其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的flash閃存芯片。 2.mlc全稱是多層式儲存（multi leveled cell），它采用較高的電壓驅(qū)動，通過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤中應(yīng)用最為廣泛的mlc nand閃存，其最大的特點(diǎn)就是以更高的存儲密度換取更低的存儲成本，從而可以獲得進(jìn)入更多終端領(lǐng)域的契機(jī)。不過，mlc的缺點(diǎn)也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比slc低，官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次。 3.tlc即triple-cell-per-bit，由于采用三層存儲單元，因此可以以較低的成本實現(xiàn)更大的容量。具體來講，slc只有兩個電平狀態(tài)，mlc則為4個，tlc則多達(dá)8個，同容量下tlc的die的尺寸比mlc小33%，因此價格也便宜了33%。當(dāng)然良品率等因素也會對價格產(chǎn)生影響。 由于tlc擁有多達(dá)8個電平狀態(tài)，因此在電位控制上更加復(fù)雜，特別是寫入速度會大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態(tài)，電子一旦溢出變會非常容易導(dǎo)致出錯，難以控制，這就是為什么需要更強(qiáng)ecc糾錯能力的原因，否則tlc閃存的壽命將會不堪一擊。