1.電流上升率di/dt的抑制
晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以0.1mm/s的擴展速度將電流擴展到整個陰極面，若晶閘管開通時電流上升率di/dt過大，會導(dǎo)致pn結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。如下圖:
圖1：串聯(lián)電感抑制回路
2.電壓上升率dv/dt的抑制
加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。
為抑制dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián)r—c阻容吸收回路。如下圖：
圖2：并聯(lián)r—c阻容吸收回路
晶閘管過壓過流保護主要就是以上這些電路圖，做好以上這些保護電路，設(shè)備的故障率會很大降低.