靜電感應晶體管（sit）和靜電感應晶閘管（sith）是兩種結構與原理有許多相似之處的新型高頻大功率電力電子器件，是利用靜電感應原理控制工作電流的功率開關器件。sit和sith具有功耗低，開關速度高，輸入阻抗高，可用柵壓控制開關的優(yōu)點，在感應加熱、超聲波加工、廣播發(fā)射等高頻大功率裝置以及逆變電源、開關電源、放電設備電源等新型電源的應用中具有很強的優(yōu)勢。
1．靜電感應晶體管（sit）
圖1a）為sit的結構原理圖，圖1b）和圖1c）分別為sit和sith的符號。
a） b） c）
圖1 sit的結構和符號
靜電感應晶體管（sit）是一種結型場效應晶體管，于1970年已開始研制。sit的結構如圖1a）所示。在一塊摻雜濃度很高的n型半導體兩側有p型半導體薄層，分別引出漏極d、源極s和柵極g。當g、s之間電壓ugs=0時，電源us可以經(jīng)很寬的n區(qū)（有多數(shù)載流子電子可導電）流過電流，n區(qū)通道的等效電阻不大，sit處于通態(tài)。如果在g、s兩端外加負電壓，即ugs<0，即圖中半導體n接正電壓，半導體p接負電壓，p1n與p2n這兩個pn結都加了反向電壓，則會形成兩個耗盡層a1和a2（耗盡層中無載流子，不導電），使原來可以導電的n區(qū)變窄，等效電阻加大。當g、s之間的反偏電壓大到一定的臨界值以后，兩側的耗盡層變寬到連在一起時，可使導電的n區(qū)消失，則漏極d和源極s之間的等效電阻變?yōu)闊o限大而使sit轉為斷態(tài)。由于耗盡層是由外加反偏電壓形成外靜電場而產(chǎn)生的，通過外加電壓形成靜電場作用控制管子的通、斷狀態(tài)，故稱之為靜電感應晶體管sit。sit在電路中的開關作用類似于一個繼電器的常閉觸點，g、s兩端無外加電壓ugs=0時sit處于通態(tài)（閉合）接通電路，有外加電壓ugs作用后sit由通態(tài)（閉合）轉為斷態(tài)（斷開）。
2．靜電感應晶閘管（sith）
靜電感應晶閘管（sith）又稱為場控晶閘管fct（field controlled thyristor），其通—斷控制機理與sit類似。結構上的差別僅在于sith是在sit結構基礎上增加了一個pn結，而在內(nèi)部多形成了一個三極管，兩個三極管構成一個晶閘管而成為靜電感應晶閘管。
柵極不加電壓時，sith與sit一樣也處于通態(tài)，外加柵極負電壓時由通態(tài)轉入斷態(tài)。由于sith比sit多了一個具有少子注入功能的pn結，所以sith屬于兩種載流子導電的雙極型功率器件。實際使用時，為了使器件可靠地導通，常取5～6v的正柵壓而不是零柵壓以降低器件通態(tài)壓降。一般關斷sit和sith需要幾十伏的負柵壓。