高溫應力后通過改變密封前的烘烤時間來降低環(huán)氧樹脂的水分含量
由于半導體混合信號器件的功率耗散和應力敏感度上升，氣密性封裝在基片連接時需要有較低的基片應力、低凝固溫度和高分解溫度。目前新部件能產生2瓦特以上的功耗，在氣密性封裝中可使內部結溫升高，超過封裝溫度60～70℃。再加上小型封裝、pc板上的限制性放置和極小的熱排放作用，一個芯片的硅結在70℃的環(huán)境下很容易達到150℃的溫度。封裝內的任何潮氣會在表面結、柵氧化區(qū)形成帶電粒子或金屬互連線上出現腐蝕，從而引起失效。
公司近成立了一個由過程可靠性、封裝和分析服務等部門人員組成的跨職能部門小組，致力于降低潮氣含量，對用環(huán)氧樹脂作基片連接媒介的高功能、應力敏感和限制裝配溫度的氣密性封裝器件的可靠性進行改進，工作的重點放在新封裝、新產品和新過程的開發(fā)上。用于研究的環(huán)氧樹脂基片連接符合低凝固溫度（～200）℃、低基片應力和足夠高的接線柱拉力值要求。
本工作的目的是確定預期工作條件下從環(huán)氧樹脂中釋放潮氣的可靠性結論，并研究減少其發(fā)生的方法。特別關注的是凝固周期和密封前的烘烤時間和溫度。