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發(fā)布時間:2024-03-20
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3,現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些 基本上都是這種。就好比你再問,現(xiàn)在非曲屏手機(jī)有哪些?那不就忒好找了嗎?曲屏手機(jī)只有5粗?jǐn)n共6款手機(jī),剩余的海量手機(jī)都是非曲屏的手機(jī)。是一個意思。分為slc/mlc/tlc,而隨著晶圓物理極限的不斷迫近,固態(tài)硬盤上單體的存儲單元內(nèi)部的能夠裝載的閃存顆粒已經(jīng)接近極限了,更加專業(yè)的術(shù)語表述就是單die能夠裝載的顆粒數(shù)已經(jīng)到達(dá)極限了,要想進(jìn)一步擴(kuò)大單die的可用容量,就必須在技術(shù)上進(jìn)行創(chuàng)新。?晶圓物理容量已接近極限于是,3d nand技術(shù)也就應(yīng)運(yùn)而生了。在解釋3d nand之前,我們先得弄清楚2d nand是什么,以及“2d”和“3d”的真實含義。首先是2d nand,我們知道在數(shù)學(xué)和物理領(lǐng)域,2d/3d都是指的方向,都是指的坐標(biāo)軸,“2d”指的是平面上的長和寬,而“3d”則是在“2d”基礎(chǔ)上,添加了一個垂直方向的“高”的概念。由此,2d nand真實的含義其實就是一種顆粒在單die內(nèi)部的排列方式,是按照傳統(tǒng)二維平面模式進(jìn)行排列閃存顆粒的。相對應(yīng)的,3d nand則是在二維平面基礎(chǔ)上,在垂直方向也進(jìn)行顆粒的排列,即將原本平面的堆疊方式,進(jìn)行了創(chuàng)新。利用新的技術(shù)(即3d nand技術(shù))使得顆粒能夠進(jìn)行立體式的堆疊,從而解決了由于晶圓物理極限而無法進(jìn)一步擴(kuò)大單die可用容量的限制,在同樣體積大小的情況下,極大的提升了閃存顆粒單die的容量體積,進(jìn)一步推動了存儲顆??傮w容量的飆升。第一款:美光(micron)旗下品牌 英睿達(dá)(crucial) bx300系列 sata ssd第二款:建興(liteon) 睿速系列 t10 pcie/nvme ssd。第三款:金士頓(kingston) ms200系列 sata ssd第四款:金泰克(tigo)s520系列 sata ssd
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