電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠。
晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中最高。
igbt：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小;缺點：開關(guān)速度低于電力mosfet,電壓，電流容量不及gto。
gtr：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低;缺點：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題。
gto：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng);缺點：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負(fù)脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低。
mosfet：開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題;缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用。