本文為大家介紹臺積電7nm工藝技術(shù)誰提供的(intel 7nm工藝)，下面和小編一起看看詳細(xì)內(nèi)容吧。
半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)icinsights在2017年3月3日的公告中指出，2017年有11家半導(dǎo)體工廠的資本開支預(yù)算超過10億美元，占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總量的78%。 2013年，全球資本支出預(yù)算超過10億美元的半導(dǎo)體工廠僅有8家。前十大工廠中有兩家今年的資本支出增長超過20%，分別是英特爾25%和globalfoundries 33%。
英特爾的做法
為了進(jìn)一步發(fā)展生產(chǎn)工藝，英特爾將在2017年建設(shè)7nm工藝中試工廠，中試工廠將測試7nm晶圓生產(chǎn)工藝。不過，雖然英特爾并未提及何時(shí)開始量產(chǎn)該工藝芯片，但相信至少在未來2~3年內(nèi)不會(huì)實(shí)現(xiàn)。
英特爾表示，7nm工藝將為芯片帶來更大的設(shè)計(jì)變化，使其體積更小、能效更高。英特爾計(jì)劃使用奇異的iii-v 材料（如氮化鎵）進(jìn)行芯片生產(chǎn)，這樣可以在提高性能速度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更長的電池壽命。同時(shí)，他們將在生產(chǎn)中引入極紫外（euv）工具，以協(xié)助更精細(xì)的特征蝕刻工藝。
按照英特爾原定的“制程、架構(gòu)、優(yōu)化”三步走計(jì)劃，7nm制程處理器最早應(yīng)該在2020年出樣，2021年出貨。事實(shí)上，按照業(yè)內(nèi)猜測，這些7nm制程處理器不太可能在6 到7 年內(nèi)可用。
globalfoundries 的方法
由于產(chǎn)能閑置，globalfoundries 去年的資本支出下降了62%。 globalfoundries已經(jīng)決定跳過10nm直接挑戰(zhàn)7nm工藝。預(yù)計(jì)今年絕大部分資本支出將用于購買新設(shè)備和技術(shù)研發(fā)。
此外，格羅方德在開發(fā)7nm的同時(shí)，著眼于實(shí)際應(yīng)用：22nm fd-soi（全耗盡型絕緣體上硅）工藝線，產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域。
在物聯(lián)網(wǎng)的浪潮下，fd-soi技術(shù)也越來越受到重視。與finfet相比，fd-soi襯底雖然價(jià)格更高，但掩模和制造工藝比finfet少。它降低了一些掩模的成本并減少了制造時(shí)間。它在技術(shù)上更適用于模擬/混合信號，rf和fd-soi也具有低功耗的優(yōu)勢。因此，很多人認(rèn)為fd-soi會(huì)是物聯(lián)網(wǎng)更好的選擇，或者可以與finfet形成互補(bǔ)。
公司繼2015年推出22nm fd-soi平臺后，于去年9月進(jìn)一步發(fā)布了全新的12nm fd-soi技術(shù)。新一代12nm fd-soi產(chǎn)品預(yù)計(jì)2018年底在德國dresden fab 1投產(chǎn)，22nm fd-soi生產(chǎn)重心將于2019年轉(zhuǎn)移至成都新廠。
臺積電和三星的做法：
2017年isscc（international solid-state circuits conference，國際固態(tài)電路研討會(huì)），5篇臺積電論文入選（1篇來自美國臺積電），模擬電路領(lǐng)域2篇，3篇被關(guān)于存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)。
業(yè)界認(rèn)為，臺積電將在大會(huì)上率先發(fā)布7nm finfet技術(shù)。揭示目前為止最小位數(shù)的sram在7nm finfet中的應(yīng)用，驗(yàn)證7nm工藝下的0.027 m2 256mbit sram測試芯片能夠大幅提升手機(jī)和平板電腦中央處理芯片的運(yùn)算速度，以及同時(shí)滿足低功耗要求。
臺積電和三星通常用sram和dram練兵，先從內(nèi)存開始，等良品率提高到一定程度再進(jìn)口邏輯產(chǎn)品。臺積電此前預(yù)計(jì)10nm年底量產(chǎn)，7nm最快2018年第一季度量產(chǎn)。
三星在10月初搶在臺積電之前宣布量產(chǎn)10nm。近日有消息稱，臺積電的7nm制程最早將于2017年試產(chǎn)，并于4月接單。三星已在7nm引入極紫外光刻設(shè)備，預(yù)計(jì)2017年底可量產(chǎn)7nm。
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