獨石陶瓷電容器的絕緣電阻表示當(dāng)在電容器端子之間施加直流電壓(無紋波)時，在設(shè)定時間(比如60秒)之后施加電壓和漏電流之間的比率。當(dāng)一個電容器絕緣電阻的理論值無窮大時，因為實際電容器的絕緣電極之間的電流流量很小，實際電阻值是有限的。上述電阻值稱為"絕緣電阻"，并用兆歐[mω]和歐法拉[ωf]等單位表示。
絕緣電阻值的性能
當(dāng)直流電壓直接施加在電容器后，突入電流(也稱充電電流)的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數(shù)降低。
電流i(t)隨時間的增加而分為三類(如方程：i(t)=ic(t)+ia(t)+ir)，即充電電流ic(t)、吸收電流ia(t)和漏電電流ir。
充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，并且在低頻范圍內(nèi)伴隨有介電損耗、造成高介電常數(shù)電容器(鐵電性電容器)極性相反并在陶瓷與金屬電極界面上發(fā)生肖特基障壘。
漏電電流是在吸收電流的影響降低后，在一定階段出現(xiàn)的常數(shù)電流。
因此，下述電流值隨施加在電容器上的時間電壓量而變化。這意味著，只有在指定電壓用途下的定時測量才能確定電容器的絕緣電阻值。
此外，充電電流、吸收電流、漏電電流無法明確區(qū)分。
絕緣電阻值
絕緣電阻值以兆歐[mω]或歐姆法拉[ωf]等單位表示。
其規(guī)定值隨電容值而改變。該值用標(biāo)稱電容值和絕緣電阻的乘積(cr的乘積)來表示。例如:當(dāng)絕緣電阻在10,000mω以上時，電容為0.047μf或更小，當(dāng)絕緣電阻為500ωf時，其值大于0.047μf。
絕緣電阻值的保證
組 第1組（c<1μf） 第2組（c≥1μf）
標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值 靜電容量c≦0.047μf???10000mω以上
c＞0.047μf???500ωf以上 50ωf以上
測試條件 測量溫度：常溫
測量位置：端子之間
測量電壓：額定電壓
充電時間：2分鐘
充放電電流：50ma或更小 測量溫度：常溫
測量位置：端子之間
測量電壓：額定電壓
充電時間：1分鐘
充放電電流：50ma或更小
計算公式范例
為1μf時 第1組的絕緣電阻值
"=500ωf/1*10-6f"
"=500ω/1*10-6"
"=500ω*106"
"=500mω以上" 第2組的絕緣電阻值
"=50ωf/1*10-6f"
"=50ω/1*10-6"
"=50ω*106"
"=50mω以上"
代表容量值 第1組
絕緣電阻值 第2組
絕緣電阻值
1μf 500mω以上 50mω以上
2.2μf 227mω以上 22.7mω以上
4.7μf 106mω以上 10.6mω以上
10μf 50mω以上 5mω以上
22μf - 2.27mω以上
47μf - 1.06mω以上
100μf - 0.5mω以上
如上表所示，電容值越高，其絕緣電阻值越低。
其原因解釋如下:考慮到獨石陶瓷電容器可以看作是一個導(dǎo)體，根據(jù)施加在其上的電壓和電流，利用歐姆定律可以計算出絕緣電阻。
絕緣電阻值r可以用方程(2)表示，導(dǎo)體的長度為l，導(dǎo)體的橫截面面積為s，電阻率為ρ。
r=ρ?l/s方程(2)
同樣，電容量c可以用方程(3)表示，獨石陶瓷電容器兩個電極之間的距離(電介質(zhì)厚度)用l表示，內(nèi)部電極的面積用s表示，介電常數(shù)為ε。
c∝ε?s/l方程(3)
方程(4)由方程(2)和方程(3)得出，由方程(4)可知r與c成反比。
r∝ρ?ε/c方程(4)
絕緣電阻越大表明直流電壓下的漏電電流越小。一般情況下，絕緣電阻值越大，電路的準(zhǔn)確性越高。