本文主要介紹ddr4和ddr5內(nèi)存條體驗(yàn)差距(ddr5與ddr4性能差多少)，下面一起看看ddr4和ddr5內(nèi)存條體驗(yàn)差距(ddr5與ddr4性能差多少)相關(guān)資訊。
隨著英特爾第12代酷睿處理器的推出，支持ddr5內(nèi)存的600系列主板也已經(jīng)到來(lái)。第一個(gè)支持ddr5內(nèi)存的是z690芯片組，但英特爾并沒有對(duì)新一代600系列主板采取一刀切的方式。
而是分為兩個(gè)版本的z690主板，ddr4和ddr5。用戶可以根據(jù)個(gè)人需要選擇內(nèi)存方案。當(dāng)然，不排除后期會(huì)有廠商推出ddr4和ddr5內(nèi)存雙支持的主板。然而，由于ddr5內(nèi)存剛剛進(jìn)入市場(chǎng)，
所以無(wú)論是支持ddr5的主板還是支持ddr5內(nèi)存的主板都比較貴，上市初期最便宜的16g ddr5 4800mhz頻率都需要千元左右的價(jià)格。
那么ddr5和ddr4有什么區(qū)別呢？下面分享一下ddr4和ddr5內(nèi)存的性能差距對(duì)比。
ddr5內(nèi)存
ddr5和ddr4有什么區(qū)別？
1.記憶頻率
ddr5的頻率比ddr4高一倍！ddr4剛上市的時(shí)候，主流內(nèi)存頻率一般只有2133和2400mhz，后來(lái)內(nèi)存頻率進(jìn)一步提升到2666mhz以上。
目前旗艦ddr4的內(nèi)存頻率可以達(dá)到4266mhz甚至更高。ddr5內(nèi)存的初始發(fā)布頻率為4800mhz，基本達(dá)到了ddr4內(nèi)存的極限。除了4800mhz的頻率之外，
同時(shí)發(fā)布5200mhz和6400mhz的更高頻率，未來(lái)可能更高。
2.工作電壓
ddr5的能耗比比ddr4高！ddr4的工作電壓為1.2v，而ddr5的工作電壓降至1.1v，功耗降低8%，意味著更節(jié)能。
3.pmic電源管理芯片
ddr4內(nèi)存的pmic電源管理芯片集成在主板上，ddr5也將pmic電源管理芯片從主板集成到內(nèi)存pcb板上。它是智能電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的大腦，在監(jiān)控電流的同時(shí)促進(jìn)電壓斜坡和電平的可配置性。
減輕主板電源管理的負(fù)擔(dān)。
4、單芯片密度
ddr5的單芯片密度比較高，單顆可以達(dá)到16gb，而ddr4的單顆只有4gb的容量，所以ddr4的內(nèi)存容量會(huì)更大，單顆內(nèi)存達(dá)到256g甚至512g都很正常，但是在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，
目前內(nèi)存需求還沒有達(dá)到這么大的程度，可能更多的是用在高端消費(fèi)檔次。
5.不同的界面
ddr4和ddr5在防呆端口的位置上略有變化，這意味著它們互不兼容。要支持ddr5內(nèi)存，主板必須配備ddr5插槽才能兼容ddr5內(nèi)存，不能在ddr4插槽使用。
6.帶寬速度
內(nèi)存帶寬有不同的傳輸速度。以ddr4 3200為例，帶寬為25.6gbps，ddr5 4800為38.4gbps。
7、ecc內(nèi)存糾錯(cuò)機(jī)制
ddr5內(nèi)存加入了ecc糾錯(cuò)功能，不過此ecc非彼ecc，只在ddr5中加入的是on-die ecc糾錯(cuò)功能，可以理解為ecc的低配版，on-die ecc只能糾錯(cuò)內(nèi)存內(nèi)部，而常說的ecc，
一般會(huì)有額外的顆粒分配給ecc功能，能糾錯(cuò)運(yùn)行中通信上的錯(cuò)誤。ddr5內(nèi)存上ecc功能主要還是提高內(nèi)存的穩(wěn)定性，降低藍(lán)屏概率。
8、單根組建雙通道？
我們知道，兩根ddr4內(nèi)存才可以組建雙通道，不過ddr5內(nèi)存單根內(nèi)存就可以實(shí)現(xiàn)雙通道，通過cpu-z檢測(cè)，如果插入一條ddr5內(nèi)存，通道數(shù)就可以識(shí)別為雙通道，但是并非是完全意義的雙通道，
可以理解為偽雙通道。我們可以理解為原本ddr4內(nèi)存只有一條64bit通道傳輸數(shù)據(jù)，雙通道為2x 64bits，而ddr5內(nèi)存是通過拆分為2條32bits，從而達(dá)到了1根內(nèi)存雙通道的效果，
當(dāng)然想要達(dá)到真正的雙通道理想值，還需要使用2根內(nèi)存組建。
9、時(shí)序
ddr4-2666時(shí)序普遍的基本在cl17-cl19，而ddr5-4800的普遍的時(shí)序一般是cl40，時(shí)序越高說明延遲越高，初期的ddr5可能在內(nèi)存延遲上并不如意，
不過頻率暴增后不少數(shù)據(jù)依然會(huì)相比ddr4略強(qiáng)。其實(shí)這其實(shí)算是常態(tài)了，ddr3升級(jí)ddr4的時(shí)候，也有時(shí)序變高的問題，ddr4時(shí)序基本在cl17-cl19，相比ddr3的cl6-cl11，
延遲也高了一些。
10、xmp3.0技術(shù)
xmp3.0技術(shù)是intel針對(duì)ddr5內(nèi)存一鍵超頻的技術(shù)，相對(duì)于xmp 2.0技術(shù)，最新的xmp 3.0技術(shù)具備了5個(gè)配置文件，其中這5個(gè)配置文件包括了3個(gè)固定配置和2個(gè)玩家自定義的配置，
其名稱可修改，且模塊上電壓可控，目前已經(jīng)有廠商推出了可視化的超頻軟件，超頻門檻大大下降，小白也能享受到超頻的樂趣。
ddr4和ddr5內(nèi)存的性能差距對(duì)比
為了更好的讓大家了解ddr4和ddr5內(nèi)存性能差異，
i9-12900k分別采用（z690 ddr4版本主板+2根16g ddr4 3600頻率內(nèi)存）和（z690 ddr5版本主板+2根16g ddr5 5200頻率內(nèi)存）進(jìn)行測(cè)試，
并分別使用cpu-z、chinebench r20以及3dmark time spy以及游戲幀數(shù)實(shí)測(cè)。
1、cpu-z基準(zhǔn)性能測(cè)試
采用ddr5內(nèi)存相比ddr4內(nèi)存，在cpu-z基準(zhǔn)測(cè)試中，cpu單線程性能基本沒有任何提升，多線程性能也只略有提升，分?jǐn)?shù)僅有200分左右的差距。
2、chinebench r20測(cè)試
在chinebench r20渲染測(cè)試中，與cpu-z測(cè)試的相似，ddr5相比ddr4內(nèi)存在cpu單線程測(cè)試下基本持平，ddr5在cpu多線程跑分中僅多出了200分左右，性能提升并不大。
3、3dmark time spy測(cè)試
通過3dmark time spy我們更直觀的看出，ddr5對(duì)顯卡基本沒有提升，主要是對(duì)cpu性能有一定的提升，結(jié)合以上的cpu-z、chinebench r20測(cè)試，準(zhǔn)確來(lái)說，
ddr5對(duì)cpu多線程有一定的提升，但是提升有限，微乎其微。
4、游戲性能測(cè)試
至于ddr4和ddr5玩游戲差距，我們分別采用了ddr4和ddr5內(nèi)存對(duì)游戲進(jìn)行測(cè)試，使用rtx3060ti顯卡在2k高畫質(zhì)下，來(lái)看看游戲幀數(shù)有多大提升。通過測(cè)試得出結(jié)論，
采用ddr5相比ddr4內(nèi)存在游戲幀數(shù)上會(huì)略有提升，少則1-5幀，多則10多幀。
總結(jié)：
ddr5相比ddr4在頻率與帶寬上有著大幅提升，并且進(jìn)一步對(duì)功耗降低，加入了on-die ecc同時(shí)也提高了內(nèi)存的穩(wěn)定性，但是唯一的缺點(diǎn)就是時(shí)序高，延遲高，畢竟ddr5還屬于初期產(chǎn)品，
還需要一定的優(yōu)化過程。通過以上的測(cè)試，ddr5內(nèi)存對(duì)cpu多線程有一定的提升的，對(duì)獨(dú)顯基本沒有提升，但是由于ddr5內(nèi)存頻率高，所以對(duì)游戲幀數(shù)是有一定的提升，或許核顯上表現(xiàn)會(huì)更好。
現(xiàn)階段裝機(jī)，如果想要更好的裝機(jī)性價(jià)比，個(gè)人還是建議完全成熟的ddr4內(nèi)存，畢竟支持ddr5的主板和ddr5內(nèi)存自身都比較偏貴，給裝機(jī)帶來(lái)更多成本，并且目前無(wú)論是游戲還是系統(tǒng)優(yōu)化上都還不夠，
性能提升也是很小，當(dāng)然對(duì)于有錢任性且追求新產(chǎn)品，那么直接上ddr5平臺(tái)。