晶閘管基本構造

發(fā)布時間:2024-03-13
功率電子電路是以功率電子器件為基礎在近十多年所發(fā)展起來的一種含有多種學科交叉的電子電路。而功率電子器件是用于對大功率電能進行變換和控制的大功率(通常指電流為數十安至數千安,電壓為數百伏以上)電子器件。
各種功率電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。根據其對導通與阻斷的可控性,功率電子器件可分為3類:不可控型器件、半控型器件、全控型器件。
其中由于半控型功率電子器件中普通晶閘管的應用最普遍。
晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡稱,又被稱作可控硅(silicon controlled rectifier,scr)。主要應用在可控整流、交流調壓、無觸點交直流開關、逆變和直流斬波等方面。
晶閘管由四層半導體pnpn、三個pn結(j1、j2和j3)構成,具有三個電極。由p1和n2分別引出陽極a及陰極k,由p2引出門極g。
下圖是晶閘管的外形及符號。圖(a)為螺栓式結構,螺栓為陽極a。圖(b)為平板式,中間金屬環(huán)為門極g,靠近門極的平面為陰極k。圖(c)是晶閘管的符號。
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