只讀型存儲器（rom）是存儲器中結(jié)構(gòu)最簡單的一種，它存儲的信息是固定不變的。工作時，只能讀出信息，不能隨時寫入信息，所以稱為只讀存儲器。只讀存儲器常用于存儲數(shù)字系統(tǒng)及計算機中不需改寫的數(shù)據(jù)，如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換表及計算機操作系統(tǒng)程序等。rom存儲的數(shù)據(jù)不會因斷電而消失，即具有非易失性。
rom一般需要由專用裝置寫入數(shù)據(jù)。按數(shù)據(jù)寫入方式特點不同，rom可分為以下幾種。
（1）固定rom。也稱掩膜rom，這種rom在制造時，廠家利用掩膜技術(shù)直接把數(shù)據(jù)寫入存儲器中，rom制成后，其存儲的數(shù)據(jù)也就固定不變了，用戶對這類芯片無法進行任何修改。
（2）一次性可編程rom(prom)。prom在出廠時，存儲內(nèi)容全為1（或全為0），用戶可根據(jù)自己的需要，利用編程器將某些單元改為0（或）1。prom一旦進行了編程，就不能再修改了。
（3）光可擦出可編程rom(eprom)。eprom是采用浮柵技術(shù)產(chǎn)生的可編程存儲器，它的存儲單元可多采用n溝道疊柵mos管，信息的存儲是通過mos管上的電荷分布來決定的，編程過程就是一個電荷注入的過程。編程結(jié)束后，盡管撤出了電源，但是，由于絕緣層的包圍，注入到浮柵上的電荷無法泄露，因此電荷分布維持不變，eprom也就成為非易失性存儲器件了。
當外部能源（如紫外線光源）加到eprom上時，eprom內(nèi)部的電荷分布才會被破壞，此時聚集在mos管浮柵上的電荷在紫外線照射下形成光電流被泄露掉，使電路恢復到初始狀態(tài)，從而擦出了所有寫入的信息。這樣eprom又可以寫入新的信息。
（4）電可擦除可編程rom(e2prom)。e2prom也是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程rom,但是構(gòu)成其存儲單元的是隧道m(xù)os管，隧道m(xù)os管也是利用浮柵是否存有電荷來存儲二值數(shù)據(jù)的，不同的是隧道m(xù)os管是用電擦除的，并且擦除的速度要快得多（一般為ms數(shù)量級）。
e2prom的電擦除過程就是改寫過程。它具有rom的非易失性，又具備類似ram的功能，可以隨時改寫（可重復擦寫1萬次以上）。目前大多數(shù)e2prom芯片內(nèi)部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進行讀、擦除/寫操作，這為數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計和在線調(diào)試提供了極大方便。
（5）快閃存儲器（flash memory）。快閃存儲器的存儲單元也是采用浮柵型mos管，存儲器中數(shù)據(jù)的擦除和寫入時分開進行的，數(shù)據(jù)寫入方式與eprom相同，需要輸入一個較高的電壓，因此要為芯片提供兩組電源。一個字的寫入時間約為200μs，一般一只芯片可以擦除/寫入100萬次以上。