1，到底怎么查看固態(tài)硬盤是mlc還是tlc2，固態(tài)硬盤mlc tlc slc怎么分別3，固態(tài)硬盤中的mlctlc和3dvnand的區(qū)別是什么4，固態(tài)硬盤slcmlc及tlc三種閃存差別在哪5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么1，到底怎么查看固態(tài)硬盤是mlc還是tlc
mlc是一個(gè)存儲(chǔ)單元放2bit的技術(shù)，tlc是一個(gè)存儲(chǔ)單元放3bit的技術(shù)。mlc的理論壽命是一個(gè)單元刷寫3000-10000次tlc的理論壽命是一個(gè)單元刷寫500-1000次（目前好像就是500次都很難達(dá)到）mlc的比較貴，tlc比較便宜。直觀上看，mlc的都是2的整倍數(shù)容量，如64g、128g等，tlc的都是3的整倍數(shù)容量，如60g，120g等。購(gòu)買建議，盡量買mlc的。網(wǎng)購(gòu)固態(tài)硬盤買前先看參數(shù)，閃存顆粒類型里寫mlc，那就是mlc。拆開看，查芯片上的編號(hào)。如果是黑片，就沒的查了?；蛘哒耶a(chǎn)品參數(shù)。名牌廠家的都有公開的參數(shù)。
2，固態(tài)硬盤mlc tlc slc怎么分別
1、slc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放1位元，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命.2、mlc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命.3、tlc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放3位元，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)比特(位)不一樣，其中slc只有一個(gè)，mlc是兩個(gè)，tlc則是三個(gè)。據(jù)說tlc壽命短 價(jià)格也低一點(diǎn)mlc性價(jià)比最高 slc速度快成本也高價(jià)格貴對(duì)于廠商來說 tlc比mlc成本低 目前貌似tlc的ssd也就三星在做 畢竟人家自己有廠 能做閃存顆粒推薦mlc 日常用完全足夠 開機(jī)快0.1秒慢0.1秒什么的沒什么區(qū)別1、slc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放1位元，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命. 2、mlc 默認(rèn)1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10...展開
3，固態(tài)硬盤中的mlctlc和3dvnand的區(qū)別是什么
mlc可以儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，可降低生產(chǎn)成本，壽命中等，傳輸速度較慢。tlc傳輸速度更慢，價(jià)格便宜，但是壽命短，通常用在u盤或者存儲(chǔ)卡這類移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備上。3d nand閃存的容量大、性能號(hào)、成本低、可靠性都有了保證。mlc （微網(wǎng)獨(dú)創(chuàng)多層次分傭 (multi-level commission)）要解釋mlc的話，必然要提到slc。mlc和slc屬于兩種不同類型的nand flash存儲(chǔ)器，可以用來作為mp3播放器、移動(dòng)存儲(chǔ)盤等產(chǎn)品的存儲(chǔ)介質(zhì)。slc全稱是single-level cell，即單層單元閃存，而mlc全稱則是multi-level cell，即為多層單元閃存。tlc即triple-level cell的縮寫，是2bit/cell的mlc閃存延伸，tlc達(dá)到3bit/cell，tlc利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息，存儲(chǔ)密度理論上較之mlc閃存擴(kuò)大了0.5倍。tlc閃存也如當(dāng)年mlc閃存一樣，在攻克p/e使用壽命的難關(guān)后，在今年下半年走上主流舞臺(tái)。目前各大主流主控廠商開發(fā)支持tlc閃存的主控，并且已經(jīng)進(jìn)化到第三代，有效提高tlc ssd的性能，延長(zhǎng)tlc ssd的p/e使用壽命。3dv-nand而3d 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，intel之前用蓋樓為例介紹了3d nand，普通nand是平房，那么3d nand就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。優(yōu)點(diǎn)：3d nand解決問題的思路就不一樣了，為了提高nand的容量、降低成本，廠商不需要費(fèi)勁心思去提高制程工藝了，轉(zhuǎn)而堆疊更多的層數(shù)就可以了，這樣一來3d nand閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了
4，固態(tài)硬盤slcmlc及tlc三種閃存差別在哪
slc、mlc和tlc三者的區(qū)別 slc 速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約mlc3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命 mlc 速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命 tlc 也有flash廠家叫8lc，速度相對(duì)慢壽命相對(duì)短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命簡(jiǎn)單地說slc的性能最優(yōu)，價(jià)格超高。一般用作企業(yè)級(jí)或高端發(fā)燒友。mlc性能夠用，價(jià)格適中為消費(fèi)級(jí)ssd應(yīng)用主流，tlc綜合性能最低，價(jià)格最便宜。但可以通過高性能主控、主控算法來彌補(bǔ)、提高tlc閃存的性能。壽命和速度。依次降低。slc一般是一萬次循環(huán)，tlc只有1000甚至更低。但slc，真正的slc，不是工業(yè)上淘汰下來二次改造的，成本非常高，速度嚴(yán)重不成正比。所以最佳的是mlc。閃存芯片根據(jù)內(nèi)部架構(gòu)分為slc、mlc、tlc等，閃存顆粒是由多層閃存芯片構(gòu)成的方形體。閃存芯片顆粒直接影響著固態(tài)硬盤的存取速率、使用壽命、生產(chǎn)成本等。slc，英文全稱single-level cell，1bit/cell，單層式存儲(chǔ)，僅允許在一個(gè)內(nèi)存元素中存儲(chǔ)1個(gè)比特位的信息。mlc，英文全稱multi-level cell，2bit/cell，多層式存儲(chǔ)，允許在一個(gè)內(nèi)存元素中存儲(chǔ)2個(gè)比特位的信息。tlc，英文全稱trinary-level cell，3bit/cell，三層式存儲(chǔ)，允許在一個(gè)內(nèi)存元素中存儲(chǔ)3個(gè)比特位的信息。由此得出，閃存顆粒面積相同時(shí)，存儲(chǔ)量由小到大：slcslc、mlc、tlc閃存芯片顆粒的優(yōu)缺點(diǎn)分析 slc，存取速率快，可擦寫次數(shù)多（使用壽命長(zhǎng)），但生產(chǎn)成本價(jià)格昂貴（至少為mlc的三倍）。 mlc，存取速率較快，可擦寫次數(shù)相對(duì)slc少（使用壽命約為slc的十分之一），價(jià)格一般。 tlc，存取速率較慢，可擦寫次數(shù)進(jìn)一步減少（使用壽命約為slc的二十分之一），價(jià)格相對(duì)便宜。
5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么
構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，slc、mlc和tlc三者都是閃存的類型。1、slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命。2、mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000—10000次擦寫壽命。3、tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，有不少人認(rèn)為單純看主控就可以知道ssd的性能，其實(shí)這是錯(cuò)誤的，就像某些廠商的產(chǎn)品線那樣，用的都是sandforce sf-2281主控，但是通過不同的閃存與固件搭配劃分出很多不同層次的產(chǎn)品，相互之間性能差異比較大，可見ssd所用的固件與閃存種類都是對(duì)其性能有相當(dāng)大影響的。tlc是閃存一種類型，全稱為triple-level cell tlc芯片技術(shù)是mlc和tlc技術(shù)的延伸。最早期nand flash技術(shù)架構(gòu)是slc(single-level cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到mlc(multi-level cell)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進(jìn)為1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元。slc、mlc、tlc閃存芯片的區(qū)別：slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約mlc 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。目前，安德旺科技生產(chǎn)的指紋u盤產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星mlc中的原裝a級(jí)芯片。讀寫速度：采用h2testw v1.4測(cè)試，三星mlc寫入速度: 4.28-5.59 mbyte/s，讀取速度: 12.2-12.9 mbyte/s。三星slc寫入速度: 8.5mbyte/s，讀取速度: 14.3mbyte/s。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。面是slc、mlc、tlc三代閃存的壽命差異slc 利用正、負(fù)兩種電荷 一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息，約10萬次擦寫壽命。mlc 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息，約一萬次擦寫壽命，slc-mlc【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。tlc 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，mlc-tlc【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。閃存產(chǎn)品壽命越來越短，現(xiàn)在市場(chǎng)上已經(jīng)有tlc閃存做的產(chǎn)品了鑒于slc和mlc或tlc閃存壽命差異太大強(qiáng)烈要求數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)商在其使用閃存的產(chǎn)品上標(biāo)明是slc和mlc或tlc閃存產(chǎn)品許多人對(duì)閃存的slc和mlc區(qū)分不清。就拿目前熱銷的mp3隨身聽來說，是買slc還是mlc閃存芯片的呢？在這里先告訴大家，如果你對(duì)容量要求不高，但是對(duì)機(jī)器質(zhì)量、數(shù)據(jù)的安全性、機(jī)器壽命等方面要求較高，那么slc閃存