N溝道增強(qiáng)型MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2024-03-09
1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)
柵極與其他兩個(gè)電極是相互絕緣的
間斷線表示柵源電壓vgs=0時(shí),
fet內(nèi)部不存在導(dǎo)電溝道
箭頭方向表示由p(襯底)指向n(溝道)
2、工作原理
(1)柵源電壓vgs的控制作用
1)當(dāng)vgs=0時(shí):漏源間沒(méi)有導(dǎo)電的溝道,id=0
s、d之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管,故不管vds極性如何,總有一個(gè)二極管是反偏的,無(wú)電流流過(guò)。
2)當(dāng)vgs >0時(shí),產(chǎn)生電場(chǎng),排斥空穴,吸引電子,電子與空穴相復(fù)合形成耗盡層。
3)當(dāng)vgs 增大到某一個(gè)值(開(kāi)啟電壓vt)時(shí), 電場(chǎng)吸引更多電子到襯底表面,形成n型導(dǎo)電薄層,稱為反型層。即vgs=vt時(shí),導(dǎo)電溝道開(kāi)始形成。
4)vgs > vt 后:vgs ↑→溝道厚度 ↑→溝道電阻↓→id↑, 實(shí)現(xiàn)了電壓控制電流。
這種在vgs=0時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道,只有當(dāng)vgs>vt后才形成導(dǎo)電溝道的場(chǎng)效應(yīng)管稱為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。
(2) vds對(duì) id的影響
設(shè)vgs>vt 且為一常數(shù)
電位 s ← d s ← d
低←高 寬 ←窄
vds = vgs- vt
有導(dǎo)電溝道的條件
vgd= vgs-vds > vt
vds< vgs- vt
vds↑→rds↑(慢)→id↑
當(dāng)vds繼續(xù)增加,滿足
vgd= vgs-vds =vt時(shí),漏端導(dǎo)
電溝道開(kāi)始夾斷,稱為預(yù)夾斷。
vds = vgs- vt .預(yù)夾斷后,id幾乎不變
3、特性曲線
(1)輸出特性
vgs < vt全夾斷狀態(tài)
( 2 ) 轉(zhuǎn)移特性
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